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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1426AV18-250BZXC
CY7C1426AV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥407.63041

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥407.63041

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CY7C09289V-12AXC
CY7C09289V-12AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥241.40586

1064

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,414.05857

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CY7C1314BV18-250BZXC
CY7C1314BV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥233.72838

2116

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,337.28383

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CY7C1314CV18-167BZC
CY7C1314CV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥213.59312

412

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,349.52433

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CY7C1314CV18-200BZC
CY7C1314CV18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥213.59312

43

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,349.52433

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CY7C024-55AXC
CY7C024-55AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥132.25535

807

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,248.34102

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CY7C1314CV18-250BZC
CY7C1314CV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥233.72838

154

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,337.28383

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CY7C1320BV18-167BZC
CY7C1320BV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥213.59312

16723

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,349.52433

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CY7C037V-15AXCT
CY7C037V-15AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (32K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥30.68092

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.68092

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CY7C1370D-200BZI
CY7C1370D-200BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥65.07021

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥65.07021

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CY7C1021CV26-15VXE
CY7C1021CV26-15VXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥25.21978

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.21978

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CY62157DV30L-55ZSXE
CY62157DV30L-55ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.81274

558

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.20614

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CYDM064B08-55BVXI
CYDM064B08-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V 供应商设备包装: 100-VFBGA(6x6)

¥39.54623

4671

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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CY7C1021CV26-15VXET
CY7C1021CV26-15VXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥127.14187

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥127.14187

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STK11C68-SF45TR
STK11C68-SF45TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥108.81733

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥108.81733

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CYDM064B16-40BVXI
CYDM064B16-40BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V 供应商设备包装: 100-VFBGA(6x6)

¥95.14273

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥95.14273

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CY7C1021CV26-15ZXE
CY7C1021CV26-15ZXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥105.10897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥105.10897

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CYDM064B16-40BVXIT
CYDM064B16-40BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V 供应商设备包装: 100-VFBGA(6x6)

¥25.95855

0

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合计: ¥25.95855

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CYDM064B16-55BVXIT
CYDM064B16-55BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V 供应商设备包装: 100-VFBGA(6x6)

¥121.26063

0

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合计: ¥121.26063

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CYDM128B08-40BVXI
CYDM128B08-40BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V 供应商设备包装: 100-VFBGA(6x6)

¥67.02580

0

5-7 工作日

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合计: ¥67.02580

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