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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
T880N16TOFXPSA1
T880N16TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1750 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,312.55834

4

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,312.55834

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T1500N08TOFVTXPSA1
T1500N08TOFVTXPSA1
SCR MODULE DISC T7526K-1

¥1,331.96931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,331.96931

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TD210N12KOFHPSA1
TD210N12KOFHPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 410 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR,1个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥877.54976

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,632.64929

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T1500N12TOFVTXPSA1
T1500N12TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 3500 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~140摄氏度

¥489.56592

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥489.56592

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T1590N22TOFVTXPSA1
T1590N22TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 3200 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AD 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥834.88706

0

5-7 工作日

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合计: ¥834.88706

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T1590N24TOFVTXPSA1
T1590N24TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 3200 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AD 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,486.70479

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,486.70479

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T1601N36TOFVTXPSA1
T1601N36TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 3.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 2990 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥835.72347

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥835.72347

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T160N18BOFXPSA1
T160N18BOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.9千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 300 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 非标准 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥859.46087

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥859.46087

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T1960N18TOFVTXPSA1
T1960N18TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4100 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AD 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,119.38931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,119.38931

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T700N22TOFXPSA1
T700N22TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1500 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,325.81285

6

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,325.81284

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T1960N20TOFVTXPSA1
T1960N20TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4100 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AD 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥711.28755

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥711.28755

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T2161N52TOHXPSA1
T2161N52TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 5.2 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 3250 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥682.33140

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥682.33140

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T221N18BOFXPSA1
T221N18BOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 450 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 非标准 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥802.81868

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥802.81868

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T2480N22TOFVTXPSA1
T2480N22TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5100 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,438.47374

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,438.47374

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TT162N16KOFAHPSA1
TT162N16KOFAHPSA1
构造: 公共阴极-所有SCR 断态电压: 1.6千伏 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,479.00018

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,832.00144

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T2480N24TOFVTXPSA1
T2480N24TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5100 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥392.54434

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥392.54434

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TT162N16KOFKHPSA1
TT162N16KOFKHPSA1
构造: 公共阴极-所有SCR 断态电压: 1.6千伏 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,479.00018

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,832.00144

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T2510N02TOFVTXPSA1
T2510N02TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4900 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,547.75461

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,547.75461

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T2510N06TOFVTPRXPSA1
T2510N06TOFVTPRXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4900 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥435.79701

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥435.79701

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T2810N20TOFVTXPSA1
T2810N20TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5800 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥406.90915

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥406.90915

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