品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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TD250N12KOFHPSA1
TD250N12KOFHPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 410 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR,1个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,351.67000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,055.00999

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T2851N42TOHXPSA1
T2851N42TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 5.2 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4860 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,347.97554

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,347.97554

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T300N10TOFXPSA1
T300N10TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 400 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AA 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,566.36636

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,566.36636

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T300N12TOFXPSA1
T300N12TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 400 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AA 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥346.79005

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,427.53036

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T300N18TOFXPSA1
T300N18TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 400 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AA 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥909.28728

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥909.28728

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T3160N12TOFVTXPSA1
T3160N12TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 7000 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥475.48190

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥475.48190

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TD210N16KOFHPSA1
TD210N16KOFHPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 410 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR,1个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥915.71985

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,747.15954

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T3160N14TOFVTXPSA1
T3160N14TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 7000 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,322.74596

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,322.74596

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T940N18TOFXPSA1
T940N18TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1759 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,375.71643

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,375.71643

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T880N18TOFXPSA1
T880N18TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1.75 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥1,378.32387

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,378.32387

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T345N18EOFVTXPSA1
T345N18EOFVTXPSA1
SCR MODULE DISC NONSTANDARD

¥503.63650

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥503.63650

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T345N18EOFXPSA1
T345N18EOFXPSA1
SCR MODULE DISC NONSTANDARD

¥343.62934

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥343.62934

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TD250N14KOFHPSA1
TD250N14KOFHPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 410 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR,1个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,381.07617

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,143.22852

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T360N20TOFXPSA1
T360N20TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 550 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AA,A-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥769.11051

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥769.11051

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T360N22TOFXPSA1
T360N22TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 550 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AA,A-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥668.22995

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,336.45991

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T360N24TOFXPSA1
T360N24TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 550 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AA,A-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥684.39704

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥684.39704

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T3710N02TOFVTXPSA1
T3710N02TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 7000 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AD 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥986.12333

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥986.12333

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T420N12TOFXPSA1
T420N12TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 750 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AA,A-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥452.97097

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥452.97097

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T430N12TOFXPSA1
T430N12TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 700 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AA 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥979.65091

0

5-7 工作日

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合计: ¥979.65091

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T4771N28TOFVTXPSA1
T4771N28TOFVTXPSA1
SCR MODULE HP E-EUPEC-0

¥1,138.46075

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,138.46075

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