品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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操作
T700N20TOFXPSA1
T700N20TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1500 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥939.82832

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥939.82832

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TD285N14KOFHPSA2
TD285N14KOFHPSA2
SCR MODULE PB50AT-1

¥1,438.87451

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,316.62354

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T730N38TOFVTXPSA1
T730N38TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 4.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1840 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥1,362.84828

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,362.84828

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TD270N16KOFBPSA1
TD270N16KOFBPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 450 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR,1个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,439.88852

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,319.66556

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T730N40TOFVTXPSA1
T730N40TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 4.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1840 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥587.04390

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥587.04390

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T730N42TOFVTXPSA1
T730N42TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 4.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1840 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥841.45502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥841.45502

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TT250N14KOFHPSA1
TT250N14KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.4千伏 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,442.49596

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,327.48789

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T740N24TOFXPSA1
T740N24TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1500 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,265.42395

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,265.42395

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TT251N14KOFHPSA1
TT251N14KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.4千伏 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,442.49596

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,327.48789

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T830N12TOFXPSA1
T830N12TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1500 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥714.22237

4

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,856.88948

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T860N30TOFVTXPSA1
T860N30TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 3.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 2000 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,464.93103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,464.93103

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TZ425N12KOFHPSA1
TZ425N12KOFHPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 800 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,447.13142

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,341.39426

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T860N32TOFVTXPSA1
T860N32TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 3.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 2000 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥680.75341

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥680.75341

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TD250N18KOFHPSA1
TD250N18KOFHPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 410 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR,1个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,447.27628

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,341.82883

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T880N12TOFXPSA1
T880N12TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1750 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥588.14915

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥588.14915

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TD251N18KOFHPSA1
TD251N18KOFHPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 410 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR,1个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,447.27628

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,341.82883

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T930N32TOFVTXPSA1
T930N32TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 3.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 2200 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥836.38905

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥836.38905

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T930N34TOFVTXPSA1
T930N34TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 3.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 2200 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥869.17784

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥869.17784

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TT170N18KOFHPSA1
TT170N18KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 350 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,455.96776

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5-7 工作日

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合计: ¥4,367.90327

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T940N12TOFXPSA1
T940N12TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1759 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AB,B-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥448.52921

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合计: ¥448.52921

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