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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
价格
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操作
T3401N36TOFVTXPSA1
T3401N36TOFVTXPSA1
SCR MODULE HP T15035K-1

¥30,279.66774

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30,279.66774

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T1901N80TOHXPSA1
T1901N80TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 8 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 3300 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥30,279.66774

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30,279.66774

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T3801N36TOFVTXPSA1
T3801N36TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 3.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 6020 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥18,349.16286

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,349.16286

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T3801N36TOFXPSA1
T3801N36TOFXPSA1
SCR MODULE HP T15026K-1

¥30,279.66774

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30,279.66774

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T2251N80TOHXPSA1
T2251N80TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 8 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 3550 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥31,952.05335

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31,952.05335

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T2851N52TOHXPSA1
T2851N52TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 5.2 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4860 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥33,930.08934

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33,930.08934

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T3441N52TOHXPSA1
T3441N52TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 5.2 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5030 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥34,994.79564

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34,994.79564

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T4771N22TOFXPSA1
T4771N22TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.9千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 6820 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥35,756.02443

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35,756.02443

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T4771N28TOFXPSA1
T4771N28TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.9千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 6820 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥38,037.53793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38,037.53793

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T533N80TOHXPSA1
T533N80TOHXPSA1
构造: 单个的 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 864 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AC 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥41,875.55064

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥167,502.20256

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T4021N52TOHXPSA1
T4021N52TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 5.35 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 6100 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥45,645.48009

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45,645.48009

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T2871N80TOHXPSA1
T2871N80TOHXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 8 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4120 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 至200AF 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥45,645.48009

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45,645.48009

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T1503N80TOHPRXPSA1
T1503N80TOHPRXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 8 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 2770 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥55,834.06752

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥55,834.06752

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T2563N80TOHXPSA1
T2563N80TOHXPSA1
构造: 单个的 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 3600 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥83,751.10128

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83,751.10128

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T4003N52TOHPRXPSA1
T4003N52TOHPRXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 5.2 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5340 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~120摄氏度

¥111,668.13504

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥111,668.13504

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T7300N85X203A11XPSA1
T7300N85X203A11XPSA1
SCR MODULE HP T20235K-1

¥139,585.16880

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥139,585.16880

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T6900N95L204A11XPSA1
T6900N95L204A11XPSA1
HIGH POWER THYR / DIO

¥139,585.16880

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥139,585.16880

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TDB6HK240N16PBOSA1
TDB6HK240N16PBOSA1
构造: 桥,三相-SCR/二极管 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 240 A 可控硅数量 / 二极管数量: 3个SCR,3个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度(TJ)

¥1,289.30863

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,289.30863

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T640N14TOFXPSA1
T640N14TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1250 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AA,A-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,105.26654

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,263.19848

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TT120N16SOFHPSA1
TT120N16SOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 190 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度

¥239.52270

120

5-7 工作日

- +

合计: ¥239.52270

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