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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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BCR119SE6327BTSA1
BCR119SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.05698

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.05698

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BCR119SE6433HTMA1
BCR119SE6433HTMA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.26489

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.26489

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BCR129SE6327HTSA1
BCR129SE6327HTSA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.40830

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.40830

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BCR133SB6327XT
BCR133SB6327XT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.82473

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.82473

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BCR133SE6327BTSA1
BCR133SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.63959

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.63959

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BCR133SE6433BTMA1
BCR133SE6433BTMA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.50050

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.50050

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BCR135SE6327BTSA1
BCR135SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.81858

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.81858

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BCR141SE6327BTSA1
BCR141SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.47833

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.47833

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BCR148SE6327BTSA1
BCR148SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.28127

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.28127

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BCR148SE6433HTMA1
BCR148SE6433HTMA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.21268

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.21268

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BCR169SE6327BTSA1
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晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.26559

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.26559

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BCR183SE6327BTSA1
BCR183SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.87620

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.87620

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BCR183SE6433BTMA1
BCR183SE6433BTMA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.23286

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.23286

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BCR185SB6327XT
BCR185SB6327XT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.54556

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.54556

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BCR185SE6327BTSA1
BCR185SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.44810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.44810

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BCR198SE6327BTSA1
BCR198SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.47571

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.47571

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BCR22PNE6327BTSA1
BCR22PNE6327BTSA1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.82938

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.82938

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BCR22PNE6433HTMA1
BCR22PNE6433HTMA1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.43682

9000

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合计: ¥2.43682

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BCR35PNE6327BTSA1
BCR35PNE6327BTSA1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.94013

9000

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合计: ¥1.94013

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BCR35PNE6433HTMA1
BCR35PNE6433HTMA1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.57522

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合计: ¥1.57522

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