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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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BCR198SH6327XTSA1
BCR198SH6327XTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR22PNH6433XTMA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR35PNH6433XTMA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR48PNH6327XTSA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 70毫安, 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 100MHz、200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR48PNH6433XTMA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 70毫安, 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 100MHz、200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR22PNH6327XTSA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR135SH6327XTSA1
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR183UE6327HTSA1
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晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SC74-6

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BCR108SH6433XTMA1
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-PO

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BCR10PNH6730XTMA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR135SH6827XTSA1
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR198SH6827XTSA1
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晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.97032

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BCR10PNH6327XTSA1
BCR10PNH6327XTSA1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR08PNB6327XT
BCR08PNB6327XT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR08PNE6433HTMA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR108SE6327BTSA1
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-PO

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BCR108SE6433HTMA1
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-PO

¥2.57195

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BCR10PNB6327XT
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR10PNE6327BTSA1
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晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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BCR116SE6327BTSA1
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

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