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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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FZ1600R17KE3NOSA1
FZ1600R17KE3NOSA1
IGBT型: NPT 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 2300 A 最大功率: 8950 W 供应商设备包装: Module

¥8,935.56573

4

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,935.56573

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FZ1600R17HP4B21BOSA2
FZ1600R17HP4B21BOSA2
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 1600 A 最大功率: 10500瓦 供应商设备包装: Module

¥10,672.95637

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21,345.91274

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DDB6U84N16RRBOSA1
DDB6U84N16RRBOSA1
IGBT型: NPT 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: Module

¥680.39803

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥680.39803

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FP15R12KE3GBOSA1
FP15R12KE3GBOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 105瓦 供应商设备包装: Module

¥533.51201

7

5-7 工作日

- +

合计: ¥533.51201

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F3L75R07W2E3B11BOMA1
F3L75R07W2E3B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 95 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: Module

¥388.87130

30

5-7 工作日

- +

合计: ¥388.87130

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FF1400R17IP4BOSA1
FF1400R17IP4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 1400 A 最大功率: 955000 W 供应商设备包装: Module

¥9,197.32414

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,197.32414

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FZ2400R12HE4B9HOSA2
FZ2400R12HE4B9HOSA2
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 3560 A 最大功率: 13500瓦 供应商设备包装: Module

¥7,120.13285

59

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,120.13285

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FS35R12KE3GBPSA1
FS35R12KE3GBPSA1
参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2B

¥683.15033

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,247.25492

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DF200R07W2H3B77BPSA1
DF200R07W2H3B77BPSA1
LOW POWER EASY AG-EASY2B-411

¥395.10020

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥395.10020

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FF450R12ME4PBOSA1
FF450R12ME4PBOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 供应商设备包装: Module

¥1,196.88923

84

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,393.77845

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FF1200R12IE5BPSA1
FF1200R12IE5BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 2400 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module

¥10,334.31458

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,334.31458

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FZ2400R12HP4B9HOSA2
FZ2400R12HP4B9HOSA2
IGBT型: 沟槽 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 3550 A 最大功率: 13500瓦 供应商设备包装: Module

¥7,120.13285

164

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,120.13285

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FS10R06VL4_B2
FS10R06VL4_B2
IGBT MODULE

¥80.17658

0

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合计: ¥1,924.23787

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FF450R12ME4PB11BOSA1
FF450R12ME4PB11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 供应商设备包装: Module

¥1,196.88923

144

5-7 工作日

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合计: ¥2,393.77845

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FS50R12W2T4B11BOMA1
FS50R12W2T4B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 83 A 最大功率: 335 W 供应商设备包装: Module

¥414.29388

0

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合计: ¥6,214.40820

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F3L75R12W1H3B27BOMA1
F3L75R12W1H3B27BOMA1
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 275瓦 供应商设备包装: Module

¥399.01136

5

5-7 工作日

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合计: ¥399.01136

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FD600R17KE3B2NOSA1
FD600R17KE3B2NOSA1
参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 1700伏 最大功率: 4300 W 供应商设备包装: Module

¥7,188.57825

130

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,188.57825

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FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-EASY2B-2

¥662.14592

13

5-7 工作日

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合计: ¥662.14592

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F3L300R12MT4PB22BPSA1
F3L300R12MT4PB22BPSA1
IGBT MODULE MED POWER ECONO

¥1,204.63913

9

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,409.27826

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BSM50GB120DLCHOSA1
BSM50GB120DLCHOSA1
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 115 A 最大功率: 460瓦 供应商设备包装: Module

¥459.27229

1103

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合计: ¥2,296.36145

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