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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
IFF2400P17LE4BPSA1
IFF2400P17LE4BPSA1
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 供应商设备包装: Module

¥17,209.92712

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,209.92712

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IFS100V12PT4BOSA1
IFS100V12PT4BOSA1
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 供应商设备包装: Module

¥2,878.58196

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,878.58196

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IFS150V12PT4BOSA1
IFS150V12PT4BOSA1
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 供应商设备包装: Module

¥647.58537

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥647.58537

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IFS200V12PT4BOSA1
IFS200V12PT4BOSA1
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 供应商设备包装: Module

¥2,854.17194

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,854.17194

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IRDM983-025MB
IRDM983-025MB
IGBT MODULE MOTION CTLR 40QFN

¥954.02001

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥954.02001

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PS2GFANSET30599NOSA1
PS2GFANSET30599NOSA1
MOD IGBT STACK PSAO-1

¥349,706.30879

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥349,706.30879

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PS3GFANSET30600NOSA1
PS3GFANSET30600NOSA1
MOD IGBT STACK PSAO-1

¥710.43491

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥710.43491

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PS3GFANSET30601NOSA1
PS3GFANSET30601NOSA1
MOD IGBT STACK PSAO-1

¥1,493.35054

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,493.35054

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PS3GHFANSET30603NOSA1
PS3GHFANSET30603NOSA1
MOD IGBT STACK PSAO-1

¥1,617.27940

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,617.27940

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PSDC312E8427618NOSA1
PSDC312E8427618NOSA1
MOD IGBT STACK PSAO-1

¥2,054.87816

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,054.87816

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FS200R07A1E3BOMA1
FS200R07A1E3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 790 W 供应商设备包装: AG-HYBRID1-1

¥3,073.75784

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,073.75784

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FS400R07A1E3BOMA1
FS400R07A1E3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: AG-HYBRID1-1

¥2,848.49810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,848.49810

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FP75R12N2T4B11BPSA1
FP75R12N2T4B11BPSA1
IGBT MODULE LOW POWER ECONO

¥918.47215

380

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,755.41645

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FP75R12N2T4B16BOSA1
FP75R12N2T4B16BOSA1
IGBT MODULE LOW POWER ECONO

¥920.06559

144

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,760.19676

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FT150R12KE3B5BOSA1
FT150R12KE3B5BOSA1
IGBT MODULE POWER

¥1,158.64429

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,158.64429

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F3L200R12N2H3B47BPSA1
F3L200R12N2H3B47BPSA1
参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2-8

¥7,853.52804

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,853.52804

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FS25R12W1T4PBPSA1
FS25R12W1T4PBPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 205瓦 供应商设备包装: AG-EASY1B-1

¥2,648.98927

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,648.98927

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F3L200R07PE4BOSA1
F3L200R07PE4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 680 W 供应商设备包装: Module

¥957.94595

7

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,873.83786

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FP100R12N2T7BPSA2
FP100R12N2T7BPSA2
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2B

¥1,441.33710

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21,620.05650

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FP150R07N3E4BOSA1
FP150R07N3E4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: Module

¥1,448.14543

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,481.45426

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