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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
价格
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操作
FS770R08A6P2LBBPSA1
FS770R08A6P2LBBPSA1
FS770R08 - IGBT MODULE

¥3,534.39034

12

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,534.39034

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DF1000R17IE4PBPSA1
DF1000R17IE4PBPSA1
PP, IHM I, XHP 1,7KV

¥4,079.05642

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,079.05642

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FF1000R17IE4BOSA1
FF1000R17IE4BOSA1
PP, IHM I, XHP 1,7KV

¥4,787.48447

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,787.48447

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FS450R17OP4PBOSA1
FS450R17OP4PBOSA1
FS450R17 - IGBT MODULE

¥4,793.64094

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,793.64094

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FZ1600R17HP4HOSA2
FZ1600R17HP4HOSA2
FZ1600R17 - IGBT MODULE

¥4,927.34487

19

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,927.34487

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FZ1200R12KF5NOSA1
FZ1200R12KF5NOSA1
FZ1200R12K - IGBT MODULE

¥5,423.48352

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,423.48352

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FF1000R17IE4DPB2BOSA1
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
PP, IHM I, XHP 1,7KV

¥5,779.18234

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,779.18234

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FF400R33KF2CNOSA1
FF400R33KF2CNOSA1
FF400R33 - 3300 V, 400 A DUAL IG

¥14,104.09917

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,104.09917

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DD1200S33K2CNOSA1
DD1200S33K2CNOSA1
DD1200S33 - IGBT MODULES UP TO 3

¥14,527.80882

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,527.80882

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FF23MR12W1M1PB11BPSA1
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
IGBT型: 沟槽 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 0.2瓦 供应商设备包装: AG-EASY1BM-2

¥779.48090

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥779.48090

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FZ400R12KE4HOSA1
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 2400 W 供应商设备包装: Module

¥950.99277

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥950.99277

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FF200R12KT4HOSA1
FF200R12KT4HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 320 A 最大功率: 1100瓦 供应商设备包装: Module

¥586.74248

0

2-3 工作日

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合计: ¥586.74248

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FF450R12KT4HOSA1
FF450R12KT4HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 2400 W 供应商设备包装: Module

¥1,597.78374

0

5-7 工作日

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FZ900R12KE4HOSA1
FZ900R12KE4HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 4300 W 供应商设备包装: Module

¥1,597.78374

0

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合计: ¥1,597.78374

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FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 1200 A 最大功率: 3350 W 供应商设备包装: Module

¥1,600.82576

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,600.82576

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FS200R07N3E4RBOSA1
FS200R07N3E4RBOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: Module

¥1,638.34398

0

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合计: ¥1,638.34398

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FZ600R17KE3HOSA1
FZ600R17KE3HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 840 A 最大功率: 3150瓦 供应商设备包装: Module

¥1,774.51050

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,774.51050

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FF600R12KE4BOSA1
FF600R12KE4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 供应商设备包装: Module

¥1,890.97633

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,890.97633

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FP25R12W2T4B11BOMA1
FP25R12W2T4B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 175瓦 供应商设备包装: Module

¥376.34108

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥376.34108

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FF50R12RT4HOSA1
FF50R12RT4HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 285 W 供应商设备包装: Module

¥385.82928

0

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合计: ¥385.82928

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