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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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AIHD06N60RFATMA1
AIHD06N60RFATMA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.06187

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.06187

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IRGP4266PBF
IRGP4266PBF
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 450瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.03002

46

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,289.38106

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IRGS4715DTRLPBF
IRGS4715DTRLPBF
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 21A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.57808

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.57808

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IRGS15B60KDTRRP
IRGS15B60KDTRRP
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.58576

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.58576

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IRGP4050
IRGP4050
集电极击穿电压: 250伏 最大集电极电流 (Ic): 104 A 最大功率: 330瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥119.59256

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥119.59256

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AIHD10N60RATMA1
AIHD10N60RATMA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.90928

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.90928

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IRGR2B60KDPBF
IRGR2B60KDPBF
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 6.3 A 最大功率: 35瓦 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.92517

572

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,817.19838

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IRGS4715DTRRPBF
IRGS4715DTRRPBF
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 21A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.54210

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.54210

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IGP15N60TXKSA1
IGP15N60TXKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 130瓦 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.13766

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.13766

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IGP30N65F5XKSA1
IGP30N65F5XKSA1
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 188 W 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.85340

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,426.69750

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IRGS30B60KTRRP
IRGS30B60KTRRP
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 370 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.65579

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.65579

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IRG7PH42UD1MPBF
IRG7PH42UD1MPBF
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 313瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.97160

0

5-7 工作日

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合计: ¥463.54560

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IKP39N65ES5XKSA1
IKP39N65ES5XKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 62 A 最大功率: 188 W 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.30038

3

2-3 工作日

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合计: ¥14.30038

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AIHD10N60RFATMA1
AIHD10N60RFATMA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.91606

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.91606

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IRGS4B60KD1TRLP
IRGS4B60KD1TRLP
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 63 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.03866

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.03866

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IGP30N65H5XKSA1
IGP30N65H5XKSA1
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 188 W 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.53262

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,807.82784

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IRG7PH50K10DPBF
IRG7PH50K10DPBF
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 400瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥137.77329

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.77328

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AIHD15N60RATMA1
AIHD15N60RATMA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.02425

9000

5-7 工作日

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合计: ¥35.02425

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IRGS6B60KDTRLP
IRGS6B60KDTRLP
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 13 A 最大功率: 90 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.45155

9000

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合计: ¥25.45155

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IRGS14C40LTRLP
IRGS14C40LTRLP
集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥83.40924

9000

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合计: ¥83.40924

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