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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
价格
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操作
CY7C1021BL-15ZI
CY7C1021BL-15ZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.03722

1372

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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CY7C1361C-100AXCKJ
CY7C1361C-100AXCKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥70.83556

233

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,195.90242

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PALC16R8-30DM
PALC16R8-30DM
ELECTRICALLY ERASABLE PAL DEVIC

¥48.38257

59

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,854.57175

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S29PL127J60TFI130
S29PL127J60TFI130
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥114.00325

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,824.05194

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S25FL129P0XBHI300
S25FL129P0XBHI300
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥31.65147

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.65147

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S25FL129P0XBHI200
S25FL129P0XBHI200
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥31.65147

338

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.65147

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CY7C1049G30-10VXIT
CY7C1049G30-10VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥55.84276

2341

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.84276

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CY7C1021BV33L-10ZXC
CY7C1021BV33L-10ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.03722

269

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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CY7C1061GE30-10ZSXI
CY7C1061GE30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥306.88167

989

5-7 工作日

- +

合计: ¥306.88167

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CY7C1362A-225BGC
CY7C1362A-225BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 225兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥71.48742

297

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,216.11011

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CY7C1046BV33-12VC
CY7C1046BV33-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥50.70030

63

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.11290

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CY7C09289V-9ACKJ
CY7C09289V-9ACKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 67 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥444.64163

571

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,223.20816

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CY7C144-15AC
CY7C144-15AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥167.52828

378

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.86760

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S34ML08G101BHA000
S34ML08G101BHA000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥115.88640

161

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,854.18240

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CY7C1357B-117AC
CY7C1357B-117AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥53.09046

58

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.70874

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CY7C006A-20AXC
CY7C006A-20AXC
CY7C006 - 16 K X 8, DUAL-PORT ST

¥154.49106

19

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,317.36586

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CY62128ELL-55SXET
CY62128ELL-55SXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥58.08806

1890

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.08806

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S29VS064RABBHI000
S29VS064RABBHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 44-FBGA (7.5x5)

¥32.59305

420

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.59305

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S29VS064RABBHI010
S29VS064RABBHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 44-FBGA (7.5x5)

¥32.59305

0

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合计: ¥32.59305

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CY7C1361A-133AJC
CY7C1361A-133AJC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥72.21171

433

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,238.56310

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