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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S29GL512P10FFIR20
S29GL512P10FFIR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥112.55467

7542

5-7 工作日

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合计: ¥1,913.42932

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S25FL116K0XNFA010
S25FL116K0XNFA010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥7.89476

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.89476

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CY62157ELL-55ZSXEKJ
CY62157ELL-55ZSXEKJ
ASYNC RAM

¥68.22812

526

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.29978

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CY7C136A55JXI
CY7C136A55JXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥43.45740

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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S25FL256SAGBHIA10
S25FL256SAGBHIA10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥39.18409

4691

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.18409

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CY7C1313V18-200BZC
CY7C1313V18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥164.19654

341

5-7 工作日

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合计: ¥2,298.75160

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CY7C1006B-15VC
CY7C1006B-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (256K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥12.89236

11461

5-7 工作日

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合计: ¥2,178.80918

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S25FL256SAGMFIG10
S25FL256SAGMFIG10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥39.18409

8391

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.18409

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CY7C1011CV33-15BVI
CY7C1011CV33-15BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥69.53184

2439

5-7 工作日

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合计: ¥2,225.01888

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FM16W08-SGTR
FM16W08-SGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥46.20970

791

5-7 工作日

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合计: ¥46.20970

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CY7C1041CV33-12VC
CY7C1041CV33-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥12.89236

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,418.15982

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CY62167DV30LL-70BVI
CY62167DV30LL-70BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x9.5)

¥75.68831

0

5-7 工作日

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合计: ¥227.06492

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S27KS0643GABHV020
S27KS0643GABHV020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥38.82194

239

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.82194

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CY7C106B-20VC
CY7C106B-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (256K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥12.96479

322

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.08489

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S29JL032J70TFI310
S29JL032J70TFI310
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥2.12123

0

2-3 工作日

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合计: ¥2.12123

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CY7C164-35PC
CY7C164-35PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (16K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 22-PDIP

¥24.11886

5157

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.81599

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FM24CL64B-GTR
FM24CL64B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7V ~ 3.65V 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥13.69922

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2-3 工作日

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合计: ¥13.69922

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S29JL032J70TFI320
S29JL032J70TFI320
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥41.98524

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2-3 工作日

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CY62126DV30LL-55ZXIT
CY62126DV30LL-55ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.03722

9150

5-7 工作日

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合计: ¥2,177.21574

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CY7C1363B-117AJC
CY7C1363B-117AJC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥47.73071

84

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合计: ¥2,195.61271

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