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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S29GL01GP11FFIR10
S29GL01GP11FFIR10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥184.11524

34410

2-3 工作日

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合计: ¥2,577.61339

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S25FL116K0XNFIQ13
S25FL116K0XNFIQ13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥4.34574

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,812.17358

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CY7C1356A-100AC
CY7C1356A-100AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥42.66068

3206

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.69473

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CY7C1360S-200AXI
CY7C1360S-200AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.14伏~3.63伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥82.71392

290

5-7 工作日

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合计: ¥82.71392

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FM25CL64B-G
FM25CL64B-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7V ~ 3.65V 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥17.35254

7424

2-3 工作日

- +

合计: ¥17.35254

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S29JL064J70TFI003
S29JL064J70TFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥51.85916

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.85916

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CY62128DV30LL-55SI
CY62128DV30LL-55SI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥13.54422

2764

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.61990

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CY7C140-35DMB
CY7C140-35DMB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥335.12898

13

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,345.90288

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CY7C1010DV33-10ZSXIT
CY7C1010DV33-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥35.70750

814

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.70750

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S29GL512N10FAI010
S29GL512N10FAI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥132.83479

6990

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,859.68700

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CY7C166-20PC
CY7C166-20PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (16K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 22-PDIP

¥13.54422

2237

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.61990

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S29GL512N10FAI020
S29GL512N10FAI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥132.83479

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,859.68700

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S29GL128S90TFI010
S29GL128S90TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥111.90460

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥111.90460

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S29GL128S10TFI020
S29GL128S10TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥137.39001

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥137.39001

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S25FS256SDSNFI001
S25FS256SDSNFI001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥42.00882

296

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- +

合计: ¥42.00882

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CY62128DV30L-70SI
CY62128DV30L-70SI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥13.54422

939

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.61990

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5962-8996701MXA
5962-8996701MXA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥335.34627

18

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,347.42389

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S25FS256SDSMFI001
S25FS256SDSMFI001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥42.08125

571

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.08125

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CY7C1041CV33-20ZXI
CY7C1041CV33-20ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥25.63987

554

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.38861

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S29GL128S90DHI020
S29GL128S90DHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥38.82194

1300

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合计: ¥38.82194

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