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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1019CV33-15ZXC
CY7C1019CV33-15ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥13.32694

902

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.29057

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CY7C1049CV33-15ZC
CY7C1049CV33-15ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥24.62586

381

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,191.70154

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CY7C199-8VCT
CY7C199-8VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥13.32694

436

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.29057

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CY14B101LA-ZS45XIKA
CY14B101LA-ZS45XIKA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥72.93600

325

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.08009

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CY7C1049B-25VC
CY7C1049B-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥24.77072

902

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.82318

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CY7C1049B-25VCT
CY7C1049B-25VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥24.77072

500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.82318

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CY62157DV30L-55ZSXI
CY62157DV30L-55ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥24.91558

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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CY100E422-5DCQ
CY100E422-5DCQ
STANDARD SRAM, 256X4, ECL100K

¥74.16730

1380

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.01888

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CY62158DV30LL-55BVXI
CY62158DV30LL-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥24.91558

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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S29GL01GP11FFIR20
S29GL01GP11FFIR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥125.59189

17255

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,883.87829

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CY14B101LA-SP25XI
CY14B101LA-SP25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥71.63228

6

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.63228

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CY7C1011CV33-10BVI
CY7C1011CV33-10BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥25.13286

302

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.55908

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CY7C1011CV33-12ZC
CY7C1011CV33-12ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥25.13286

125

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.55908

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CY7C1049BV33-12VI
CY7C1049BV33-12VI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥74.60187

5813

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,238.05610

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CY7C144E-55AXC
CY7C144E-55AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥185.92524

78

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,859.25243

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CY7C136E-55JXCT
CY7C136E-55JXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥289.71600

2900

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,317.72800

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CY7C1372KV33-167AXI
CY7C1372KV33-167AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥191.53777

209

2-3 工作日

- +

合计: ¥191.53777

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S25FL116K0XMFV011
S25FL116K0XMFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥0.32159

10856

2-3 工作日

- +

合计: ¥11.25572

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CY7C136E-55JXC
CY7C136E-55JXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥218.22858

176

5-7 工作日

- +

合计: ¥436.45715

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S25FL116K0XMFN040
S25FL116K0XMFN040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.63546

23658

5-7 工作日

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合计: ¥4.63546

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