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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY62256VLL-70ZRIT
CY62256VLL-70ZRIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥7.38776

9000

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合计: ¥2,179.38861

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CY7C1018CV33-12VCT
CY7C1018CV33-12VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥7.38776

6000

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.38861

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CY62256NLL-70SNCT
CY62256NLL-70SNCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥7.53262

37149

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合计: ¥2,176.92602

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CY62256LL-70ZRI
CY62256LL-70ZRI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥7.67747

5974

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合计: ¥2,172.72514

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CY62256LL-55ZI
CY62256LL-55ZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥7.67747

1056

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合计: ¥2,172.72514

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CY62136VLL-55BAIT
CY62136VLL-55BAIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥11.73350

26000

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合计: ¥2,170.69713

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CY62148VNLL70ZSXI
CY62148VNLL70ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥106.25334

117

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CY62136VLL-55BAI
CY62136VLL-55BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥11.73350

3647

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CY62126DV30L-55BVI
CY62126DV30L-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥6.25312

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CY7C106B-25VCT
CY7C106B-25VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (256K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥7.74990

4500

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CY62256NLL-70ZXI
CY62256NLL-70ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥7.74990

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CY62128BLL-55ZRIT
CY62128BLL-55ZRIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-RTSOP

¥11.87836

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合计: ¥2,173.73915

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CY62127DV30LL-55BVI
CY62127DV30LL-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥11.95079

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CY7C166-25VC
CY7C166-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (16K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥12.02321

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合计: ¥2,176.20173

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CY62128BNLL-70ZAXI
CY62128BNLL-70ZAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥8.03962

2862

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CY7C164-35VC
CY7C164-35VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (16K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥12.02321

1465

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合计: ¥2,176.20173

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CY7C1339B-133BGI
CY7C1339B-133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥41.21210

205

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合计: ¥2,184.24135

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CY27H010-35WC
CY27H010-35WC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP

¥41.57425

848

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合计: ¥2,203.43504

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CYD01S18V-133BBI
CYD01S18V-133BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥434.57400

85

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合计: ¥2,607.44400

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CY7C166-25VCT
CY7C166-25VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (16K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥12.38536

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