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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C136-25NXCT
CY7C136-25NXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥48.41154

0

5-7 工作日

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合计: ¥48.41154

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CY7C1382S-167AXC
CY7C1382S-167AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥159.70595

341

5-7 工作日

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合计: ¥2,235.88323

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CY7C11701KV18-400BZXC
CY7C11701KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥262.98970

541

5-7 工作日

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合计: ¥2,366.90729

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CYD36S72V18-167BGXC
CYD36S72V18-167BGXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (512K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 484-PBGA (27x27)

¥364.18750

0

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- +

合计: ¥364.18750

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CY7C136-55JXCT
CY7C136-55JXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥120.94194

0

5-7 工作日

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合计: ¥120.94194

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CY7C12451KV18-400BZC
CY7C12451KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥386.26386

0

5-7 工作日

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合计: ¥386.26386

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CYD36S72V18-167BGXI
CYD36S72V18-167BGXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (512K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 484-PBGA (27x27)

¥2,620.84337

1

5-7 工作日

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合计: ¥2,620.84337

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STK11C68-C35I
STK11C68-C35I
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥5,652.64888

215

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,652.64888

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CY7C1414TV18-250BZC
CY7C1414TV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥69.92296

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥69.92296

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CYD36S72V18-200BGXC
CYD36S72V18-200BGXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (512K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 484-PBGA (27x27)

¥2,993.63543

213

5-7 工作日

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合计: ¥2,993.63543

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STK11C68-C45
STK11C68-C45
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥77.32520

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.32520

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CY7C1414TV18-200BZXC
CY7C1414TV18-200BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥428.27268

185

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,569.63606

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STK11C68-5C35M
STK11C68-5C35M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥24.90109

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.90109

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STK11C68-C45I
STK11C68-C45I
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥21.74319

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.74319

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CY7C1415TV18-250BZC
CY7C1415TV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥449.49437

234

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,247.47187

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STK11C68-5C45M
STK11C68-5C45M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥48.13631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.13631

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CY7C1513AV18-250BZC
CY7C1513AV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥811.13237

1885

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,433.39711

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STK11C68-SF25ITR
STK11C68-SF25ITR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥62.60763

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.60763

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CY7C1513V18-200BZC
CY7C1513V18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥865.16441

141

5-7 工作日

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合计: ¥2,595.49322

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STK11C68-SF25TR
STK11C68-SF25TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥22.61233

0

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合计: ¥22.61233

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