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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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CY7C1512KV18-300BZXI
CY7C1512KV18-300BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,242.37464

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CY7C1513KV18-300BZI
CY7C1513KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥952.51378

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CY7C1514AV18-250BZI
CY7C1514AV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥981.18308

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CY7C1513KV18-333BZI
CY7C1513KV18-333BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,101.42780

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CY7C1415SV18-167BZC
CY7C1415SV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥26.62490

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CY7C1514KV18-200BZXC
CY7C1514KV18-200BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥33.95472

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CY7C1418TV18-267BZXC
CY7C1418TV18-267BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥469.33992

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CY7C1514KV18-300BZI
CY7C1514KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥903.47935

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CY7C1514V18-167BZC
CY7C1514V18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥865.16441

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CY7C1514V18-167BZI
CY7C1514V18-167BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,168.42463

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STK11C88-NF25ITR
STK11C88-NF25ITR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥53.85820

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CY7C136-55NXC
CY7C136-55NXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥112.22149

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CY7C1514KV18-300BZXC
CY7C1514KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥22.17776

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STK11C88-NF25TR
STK11C88-NF25TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥7.83682

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CY7C1514V18-200BZC
CY7C1514V18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥865.16441

122

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CY7C136-55NXCT
CY7C136-55NXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥35.53367

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STK11C88-NF45ITR
STK11C88-NF45ITR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥195.23961

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CY7C1514V18-200BZXI
CY7C1514V18-200BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥965.69586

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CY7C136-55NXI
CY7C136-55NXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥128.50353

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STK11C88-NF45TR
STK11C88-NF45TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥21.85907

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