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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C13121KV18-300BZXC
CY7C13121KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥262.62755

1586

5-7 工作日

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合计: ¥2,363.64799

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CY7C1570SV18-400BZXC
CY7C1570SV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥16.80353

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.80353

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CY7C1520KV18-333BZC
CY7C1520KV18-333BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥993.87074

574

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,981.61221

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CY7C13201KV18-300BZXC
CY7C13201KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥262.62755

217

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,363.64799

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CY7C1520KV18-333BZI
CY7C1520KV18-333BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥993.87074

616

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,981.61221

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CY7C1911UV18-300BZC
CY7C1911UV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥45.96344

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.96344

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CY7C14121KV18-300BZXC
CY7C14121KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥390.39231

182

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,342.35386

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CY7C1520KV18-333BZXI
CY7C1520KV18-333BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,316.90408

871

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,633.80816

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CY7C1303TV25-167BZC
CY7C1303TV25-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥147.75516

309

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,216.32740

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CY7C1525KV18-300BZC
CY7C1525KV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (8M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,242.37464

78

5-7 工作日

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合计: ¥2,484.74927

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CY7C1305TV25-167BZC
CY7C1305TV25-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥169.99086

234

5-7 工作日

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合计: ¥2,209.88122

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CY7C1525KV18-300BZXC
CY7C1525KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (8M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,039.06643

278

5-7 工作日

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合计: ¥3,117.19930

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CY7C1308SV25C-167BZC
CY7C1308SV25C-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥213.01369

1781

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- +

合计: ¥2,343.15058

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CY7C1311SV18-250BZC
CY7C1311SV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥42.29854

0

5-7 工作日

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合计: ¥42.29854

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STK11C68-SF25I
STK11C68-SF25I
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥64.81671

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.81671

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STK11C68-SF35
STK11C68-SF35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥166.44184

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥166.44184

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CY7C14251KV18-250BZC
CY7C14251KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥314.70401

4390

5-7 工作日

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合计: ¥2,202.92804

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STK14CA8-NF25TR
STK14CA8-NF25TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥54.58249

0

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合计: ¥54.58249

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STK11C68-SF35I
STK11C68-SF35I
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥86.20500

0

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合计: ¥86.20500

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CY7C1312SV18-250BZC
CY7C1312SV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

99

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,336.84926

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