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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1380F-167BZIT
CY7C1380F-167BZIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥27.95759

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.95759

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CY7C1420KV18-333BZC
CY7C1420KV18-333BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥374.67522

207

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,248.05130

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S25FL064P0XMFI003
S25FL064P0XMFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥43.96440

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.96440

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CY7C1413JV18-250BZI
CY7C1413JV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥364.75244

1049

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.51466

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CY7C1414JV18-250BZXC
CY7C1414JV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥32.02810

0

5-7 工作日

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合计: ¥32.02810

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CY7C1415BV18-250BZI
CY7C1415BV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥364.75244

744

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.51466

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CY7C1418BV18-250BZI
CY7C1418BV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥400.82209

4864

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,404.93252

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CY7C1425JV18-250BZI
CY7C1425JV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥157.46065

54

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.44904

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CY7C1426JV18-300BZC
CY7C1426JV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥449.49437

848

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,247.47187

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CY7C1424KV18-250BZC
CY7C1424KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥299.63877

373

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,397.11018

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CY7C1426JV18-300BZXC
CY7C1426JV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥359.60999

129

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,517.26990

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CY7C1470BV25-167BZC
CY7C1470BV25-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥927.01877

104

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,781.05631

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CY7C1470BV25-167BZCT
CY7C1470BV25-167BZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥28.45011

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.45011

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CY7C1470BV25-167BZI
CY7C1470BV25-167BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥950.26848

233

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,850.80544

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CY7C1424KV18-333BZC
CY7C1424KV18-333BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥374.67522

229

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,248.05130

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CY7C1470BV25-167BZIT
CY7C1470BV25-167BZIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥141.00478

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥141.00478

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CY7C1425KV18-333BZC
CY7C1425KV18-333BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥374.67522

266

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,248.05130

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CY7C1470BV25-200BZC
CY7C1470BV25-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥346.06576

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,038.19729

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CY7C1426KV18-300BZC
CY7C1426KV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥388.43673

63

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,330.62036

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CY7C1470BV25-200BZCT
CY7C1470BV25-200BZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥70.31407

0

5-7 工作日

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合计: ¥70.31407

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