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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S25FL204K0TMFI040
S25FL204K0TMFI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥13.58768

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.58768

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CY7C1021B-12VC
CY7C1021B-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥13.25451

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,192.90563

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STK22C48-SF45I
STK22C48-SF45I
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥62.83940

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5-7 工作日

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合计: ¥62.83940

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CY7C1021B-15VC
CY7C1021B-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥12.53022

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5-7 工作日

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合计: ¥12.53022

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S25FL204K0TMFI041
S25FL204K0TMFI041
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥91.07223

0

5-7 工作日

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合计: ¥91.07223

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CY7C1021B-15ZC
CY7C1021B-15ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.25451

7341

5-7 工作日

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合计: ¥2,173.73915

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S25FL208K0RMFI010
S25FL208K0RMFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 76 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥273.65125

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥273.65125

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CY7C1021BV33-10VC
CY7C1021BV33-10VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥19.84555

716

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.01006

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S25FL208K0RMFI011
S25FL208K0RMFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 76 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥74.16730

0

5-7 工作日

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合计: ¥74.16730

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S25FL208K0RMFI040
S25FL208K0RMFI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 76 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥22.85859

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.85859

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S25FL208K0RMFI041
S25FL208K0RMFI041
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 76 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥7.11253

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.11253

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CY7C1021BV33-10ZC
CY7C1021BV33-10ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥10.42978

1874

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.25296

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S25FL216K0PMFI011
S25FL216K0PMFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 65 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥77.64389

0

5-7 工作日

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合计: ¥77.64389

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S29AL016J70FFI010
S29AL016J70FFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥69.21315

0

5-7 工作日

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合计: ¥69.21315

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S25FL132K0XNFI011
S25FL132K0XNFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥164.52972

2376

5-7 工作日

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合计: ¥164.52972

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S29AS008J70TFI030
S29AS008J70TFI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥44.77561

0

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合计: ¥44.77561

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S25FL032P0XMFI003
S25FL032P0XMFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥79.19387

0

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合计: ¥79.19387

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CY7C1021BV33-12VC
CY7C1021BV33-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥18.54182

1586

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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S29AS008J70TFI040
S29AS008J70TFI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥26.34967

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合计: ¥26.34967

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CY7C1021BV33-12ZC
CY7C1021BV33-12ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥10.14006

533

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合计: ¥2,169.97284

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