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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1268XV18-600BZXC
CY7C1268XV18-600BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 600 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥704.80660

150

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,819.22640

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CY7C1423JV18-250BZXC
CY7C1423JV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥375.39951

3007

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,252.39704

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CY7C1049BV33-20VC
CY7C1049BV33-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥56.27733

4697

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.81599

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S29PL032J70BAI122
S29PL032J70BAI122
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥25.85715

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.85715

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CY7C1270XV18-600BZXC
CY7C1270XV18-600BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 600 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥704.80660

193

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,819.22640

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CY7C1423JV18-267BZXC
CY7C1423JV18-267BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥394.37591

458

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,366.25543

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CY7C109B-12VC
CY7C109B-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥41.58873

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.58873

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CY7C1311KV18-250BZC
CY7C1311KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥203.30820

125

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,236.39023

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CY7C1423JV18-267BZXCT
CY7C1423JV18-267BZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥37.34439

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.34439

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CY7C109B-15VC
CY7C109B-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥56.98714

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.98714

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CY7C1364CV33-166AXC
CY7C1364CV33-166AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥73.44301

1005

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.29018

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CY7C131E-55JXC
CY7C131E-55JXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥55.66893

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.66893

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S29PL032J70BAW120
S29PL032J70BAW120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥149.11683

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥149.11683

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CY7C1474BV25-167BGC
CY7C1474BV25-167BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥927.01877

103

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,781.05631

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CY7C1371DV33-133AXI
CY7C1371DV33-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥184.47666

555

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,213.71996

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CY7C131E-15NXI
CY7C131E-15NXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥263.64156

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,845.49092

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S29PL032J70BFI120
S29PL032J70BFI120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥32.02810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.02810

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CY7C109B-15ZC
CY7C109B-15ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥103.26927

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥103.26927

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CY7C1371DV33-133BZI
CY7C1371DV33-133BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥201.56991

783

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,217.26898

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CY7C131E-55NXI
CY7C131E-55NXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥58.73992

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥117.47984

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