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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C1041CV33-10BAXE
CY7C1041CV33-10BAXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (7x8.5)

¥57.14648

3458

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,228.71276

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S29GL512P11FFI020
S29GL512P11FFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥147.32059

3280

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,767.84703

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S25FL164K0XNFI010
S25FL164K0XNFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥41.09622

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.09622

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CY7C1315JV18-300BZC
CY7C1315JV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥249.44548

3463

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,245.00928

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CY7C1262XV18-366BZXC
CY7C1262XV18-366BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 366 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥668.73696

237

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,674.94783

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S29GL512P12FFIV10
S29GL512P12FFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥45.26813

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.26813

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S25FL164K0XBHI023
S25FL164K0XBHI023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥31.83979

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.83979

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CY7C1263XV18-600BZXC
CY7C1263XV18-600BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 600 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥704.80660

120

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,819.22640

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S29GL512P12FFIV20
S29GL512P12FFIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥92.27455

3599

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,845.49092

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S25FL164K0XBHI033
S25FL164K0XBHI033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥131.57452

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥131.57452

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CY7C1354DV25-200BZI
CY7C1354DV25-200BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥92.20212

1293

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.85081

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CY7C1264XV18-366BZXC
CY7C1264XV18-366BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 366 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥559.29674

129

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,237.18695

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S29JL032J70TFI220
S29JL032J70TFI220
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥45.94896

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.94896

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S25FL164K0XMFI003
S25FL164K0XMFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥21.59833

24650

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.59833

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CY7C136A-55JXI
CY7C136A-55JXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥43.45740

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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CY7C1049BL-25VC
CY7C1049BL-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥42.53031

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.53031

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CY7C1265XV18-600BZXC
CY7C1265XV18-600BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 600 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥704.80660

144

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,819.22640

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CY7C136A-55NXI
CY7C136A-55NXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥85.24893

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥85.24893

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CY7C1049BV33-15VC
CY7C1049BV33-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥66.56225

151

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.55428

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S29PL032J70BAI120
S29PL032J70BAI120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥35.99721

1042

5-7 工作日

- +

合计: ¥215.98328

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