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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1011CV33-12ZSXET
CY7C1011CV33-12ZSXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥19.06331

0

5-7 工作日

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合计: ¥19.06331

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S29GL128P90FFCR12
S29GL128P90FFCR12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥58.47918

0

5-7 工作日

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合计: ¥58.47918

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CY7C1034DV33-10BGXI
CY7C1034DV33-10BGXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 6Mb (256K x 24) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥211.56511

1790

5-7 工作日

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合计: ¥2,327.21620

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S25FL164K0XMFI001
S25FL164K0XMFI001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥46.83259

0

5-7 工作日

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合计: ¥46.83259

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S29GL128P90FFCR23
S29GL128P90FFCR23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥57.50863

0

5-7 工作日

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合计: ¥57.50863

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CY7C1034DV33-10BGXIT
CY7C1034DV33-10BGXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 6Mb (256K x 24) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥69.56081

0

5-7 工作日

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合计: ¥69.56081

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S25FL164K0XNFI011
S25FL164K0XNFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥32.75239

0

5-7 工作日

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合计: ¥32.75239

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S29GL128P90TFCR13
S29GL128P90TFCR13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 56-TSOP

¥90.15962

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥90.15962

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CY7C1049CV33-12ZSXAT
CY7C1049CV33-12ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥67.48934

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.48934

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S70FL256P0XMFI001
S70FL256P0XMFI001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥33.69397

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.69397

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S29GL128P90TFCR23
S29GL128P90TFCR23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 56-TSOP

¥29.29029

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.29029

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CY7C10612DV33-10ZSXI
CY7C10612DV33-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥519.17107

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,595.85536

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S29GL256P10FFIS10
S29GL256P10FFIS10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥17.45539

96

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.45539

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CY7C10612DV33-10ZSXIT
CY7C10612DV33-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥41.70462

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.70462

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S29GL256P11TAIV20
S29GL256P11TAIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥32.53511

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.53511

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CY7C1306CV25-167BZC
CY7C1306CV25-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥320.04927

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥320.04927

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CY7C1021DV33-10ZSXA
CY7C1021DV33-10ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.81274

6980

5-7 工作日

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合计: ¥361.56557

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S29GL512P10FFCR20
S29GL512P10FFCR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥79.71536

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.71536

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S25FL164K0XBHI020
S25FL164K0XBHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥5.79432

0

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合计: ¥782.23320

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CY7C1314JV18-250BZXC
CY7C1314JV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥233.72838

289

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合计: ¥2,337.28383

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