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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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S29GL032N90FFIS30
S29GL032N90FFIS30
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥6.73590

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CY7C1049BL-17VC
CY7C1049BL-17VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥6.35927

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S29GL032N90FFIS32
S29GL032N90FFIS32
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥40.51678

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S29GL032N90TFI010
S29GL032N90TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥31.31830

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CY14E256L-SZ25XCT
CY14E256L-SZ25XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥55.66893

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S29GL064N11FFIV10
S29GL064N11FFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥119.62374

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CY14E256L-SZ25XI
CY14E256L-SZ25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥46.65876

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S29GL064N11TFIV10
S29GL064N11TFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥44.52935

56

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CY14E256L-SZ45XCT
CY14E256L-SZ45XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥62.78146

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S29GL064N11TFIV20
S29GL064N11TFIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥41.80658

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CY62126ESL-45ZSXI
CY62126ESL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.44138

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S29GL064N90DFI020
S29GL064N90DFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥53.23532

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CY62126ESL-45ZSXIT
CY62126ESL-45ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥589.26786

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S29GL064N90DFI030
S29GL064N90DFI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

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CY7C1011CV33-12ZSXE
CY7C1011CV33-12ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

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S29GL064N90DFI040
S29GL064N90DFI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

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S29GL064N90FFI030
S29GL064N90FFI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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S29GL064N90FFI040
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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S29GL064N90TFI010
S29GL064N90TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

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S29GL064N90TFI033
S29GL064N90TFI033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

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