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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY62128EV30LL-45SXA
CY62128EV30LL-45SXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥26.21930

1266

5-7 工作日

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合计: ¥2,176.20173

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S29PL032J70BFI122
S29PL032J70BFI122
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥19.36752

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.36752

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CY62256EV18LL-70SNXIT
CY62256EV18LL-70SNXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.25伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥12.55919

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.55919

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CY7C1041CV33-10BAXET
CY7C1041CV33-10BAXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (7x8.5)

¥16.64418

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.64418

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S29PL032J70BFI123
S29PL032J70BFI123
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥69.87950

0

5-7 工作日

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合计: ¥69.87950

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CY7C1564XV18-366BZC
CY7C1564XV18-366BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 366 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,431.77647

348

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,863.55294

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S29PL064J55BFI120
S29PL064J55BFI120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥13.71805

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.71805

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CY14MB064Q1A-SXIT
CY14MB064Q1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥57.46517

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥57.46517

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S29PL064J70BAW120
S29PL064J70BAW120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥61.02868

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.02868

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CY14ME256J2-SXIT
CY14ME256J2-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥37.77897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.77897

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CY14B256Q2A-SXIT
CY14B256Q2A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥44.97841

2255

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.94204

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S29PL064J70BFI120
S29PL064J70BFI120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥32.92622

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.92622

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S29PL064J70BFW120
S29PL064J70BFW120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥106.03606

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥106.03606

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CY14B256Q1A-SXIT
CY14B256Q1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥40.00978

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.00978

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CY7C1564XV18-366BZXC
CY7C1564XV18-366BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 366 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,431.77647

160

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,863.55294

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S29PL064J70BFW122
S29PL064J70BFW122
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥74.94953

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥74.94953

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CY7C1319KV18-250BZXC
CY7C1319KV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥203.30820

95

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,236.39023

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CY7C1565XV18-600BZXC
CY7C1565XV18-600BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 600 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥3,178.69152

262

5-7 工作日

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合计: ¥3,178.69152

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S29PL127J70BAI000
S29PL127J70BAI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 80-FBGA (8x11)

¥8.30036

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.30036

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CY7C1911KV18-250BZCT
CY7C1911KV18-250BZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥76.90511

0

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合计: ¥76.90511

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