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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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CY7C1570XV18-600BZXC
CY7C1570XV18-600BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 600 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥3,150.22693

208

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CY7C1460KV25-167BZC
CY7C1460KV25-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥70.57482

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CY7C1059DV33-12ZSXQ
CY7C1059DV33-12ZSXQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥92.27455

20431

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CY7C144E-15AXCT
CY7C144E-15AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥27.85619

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CY7C1059DV33-12ZSXQT
CY7C1059DV33-12ZSXQT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥21.92271

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CY7C144E-15AXIT
CY7C144E-15AXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥6.79384

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CY7C1314CV18-200BZI
CY7C1314CV18-200BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥224.16776

72

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CY7C1463BV33-133AXI
CY7C1463BV33-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥29.15992

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CY7C1318CV18-200BZI
CY7C1318CV18-200BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥224.16776

370

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CY7C1441AV25-133BZXIT
CY7C1441AV25-133BZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,368.64736

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CY7C1414BV18-250BZXI
CY7C1414BV18-250BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥464.26989

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CY7C1612KV18-300BZXC
CY7C1612KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,794.28362

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CY7C027-20AXI
CY7C027-20AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥27.20433

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CY7C1420AV18-200BZCT
CY7C1420AV18-200BZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥18.80257

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CY7C1440AV25-250BZXIT
CY7C1440AV25-250BZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥47.06436

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CYD02S36VA-167BBXC
CYD02S36VA-167BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥799.61616

7

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S29WS064RABBHI000
S29WS064RABBHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥17.67268

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CY7C1613KV18-300BZI
CY7C1613KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

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S29WS064RABBHI010
S29WS064RABBHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥69.38698

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CY7C1618KV18-300BZXC
CY7C1618KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

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