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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY14ME064J1A-SXI
CY14ME064J1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥26.07444

476

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.25296

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CY7C1471BV25-133BZXC
CY7C1471BV25-133BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,092.73632

106

5-7 工作日

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合计: ¥2,185.47265

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CY14ME064J2A-SXI
CY14ME064J2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥29.98561

1005

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.94924

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CY7C0851AV-133BBI
CY7C0851AV-133BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 172-FBGA (15x15)

¥1,305.56894

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,611.13788

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CY14ME064Q1B-SXI
CY14ME064Q1B-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥26.07444

463

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C11681KV18-400BZC
CY7C11681KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

1474

5-7 工作日

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合计: ¥2,336.84926

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CY14MB064Q2B-SXI
CY14MB064Q2B-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.81274

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,335.01133

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CY7C11681KV18-450BZC
CY7C11681KV18-450BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥321.58476

1748

5-7 工作日

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合计: ¥2,251.09332

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CY621472E30LL-45ZSXAT
CY621472E30LL-45ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥648.67412

0

5-7 工作日

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合计: ¥648.67412

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CY7C12681KV18-400BZC
CY7C12681KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥386.26386

138

5-7 工作日

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合计: ¥2,317.58314

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S25FL132K0XBHI023
S25FL132K0XBHI023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥450.07381

0

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合计: ¥450.07381

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CY7C1512KV18-300BZI
CY7C1512KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥903.47935

213

5-7 工作日

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合计: ¥2,710.43804

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S25FL132K0XBHI030
S25FL132K0XBHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥65.70759

9000

5-7 工作日

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合计: ¥65.70759

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CY7C1512KV18-250BZI
CY7C1512KV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,346.74483

57

5-7 工作日

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合计: ¥2,693.48965

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S25FL132K0XBHI033
S25FL132K0XBHI033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥43.21114

0

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合计: ¥43.21114

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CY7C1518KV18-300BZC
CY7C1518KV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥903.47935

590

5-7 工作日

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合计: ¥2,710.43804

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S25FL132K0XMFI010
S25FL132K0XMFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.01909

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CY7C1518KV18-250BZI
CY7C1518KV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,035.37256

64

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S25FL132K0XMFI040
S25FL132K0XMFI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥83.52512

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CY7C1515KV18-300BZI
CY7C1515KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,150.85158

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