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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S25FS256SAGBHI300
S25FS256SAGBHI300
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥36.22899

0

5-7 工作日

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合计: ¥36.22899

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CY7C199-25VC
CY7C199-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥3.47659

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合计: ¥3.47659

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CY7C1418KV18-300BZXC
CY7C1418KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥95.78011

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合计: ¥95.78011

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S25FS256SDSBHI300
S25FS256SDSBHI300
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥9.19848

1834

5-7 工作日

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合计: ¥9.19848

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CY7C199-35PC
CY7C199-35PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥200.96150

0

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合计: ¥200.96150

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CY7C1420KV18-300BZXC
CY7C1420KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥452.56536

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5-7 工作日

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合计: ¥452.56536

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S29AS016J70BHIF30
S29AS016J70BHIF30
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x4)

¥13.55871

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.55871

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CY7C199-35VC
CY7C199-35VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥6.95318

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,863.45331

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CY7C1911KV18-250BZXC
CY7C1911KV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥147.75516

201

5-7 工作日

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合计: ¥2,216.32740

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CY62128BLL-70SC
CY62128BLL-70SC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥36.98225

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5-7 工作日

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合计: ¥36.98225

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S29AS016J70BHIF40
S29AS016J70BHIF40
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x4)

¥62.07165

0

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合计: ¥62.07165

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CY7C25632KV18-500BZXI
CY7C25632KV18-500BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,547.11064

582

5-7 工作日

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合计: ¥2,547.11064

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CY62128BLL-70ZC
CY62128BLL-70ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥567.64056

0

5-7 工作日

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合计: ¥567.64056

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S29GL064N11WEI039
S29GL064N11WEI039
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: Wafer

¥32.73791

0

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合计: ¥32.73791

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CY7C25652KV18-400BZXC
CY7C25652KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,855.05155

171

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合计: ¥3,710.10310

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S25FL116K0XWEI009
S25FL116K0XWEI009
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥131.05303

0

5-7 工作日

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合计: ¥131.05303

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CY62128VLL-70ZC
CY62128VLL-70ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥37.85140

0

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合计: ¥37.85139

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CY7C25652KV18-550BZXC
CY7C25652KV18-550BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,971.03758

157

5-7 工作日

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合计: ¥2,971.03758

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S25FL116K0XWEV009
S25FL116K0XWEV009
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥15.87644

0

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合计: ¥15.87644

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S25FL132K0XWEI009
S25FL132K0XWEI009
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥37.50374

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合计: ¥37.50374

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