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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C14201KV18-250BZC
CY7C14201KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥328.46552

121

5-7 工作日

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合计: ¥2,299.25861

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S25FL132K0XMFIQ10
S25FL132K0XMFIQ10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥11.74798

1105

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.74798

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CY7C1518KV18-250BZC
CY7C1518KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥752.89946

1062

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,258.69837

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CY7C1420BV18-200BZCT
CY7C1420BV18-200BZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥52.42411

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥52.42411

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S25FL132K0XMFIQ13
S25FL132K0XMFIQ13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥43.77609

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.77609

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CY7C1512KV18-300BZIT
CY7C1512KV18-300BZIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥56.72639

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.72639

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S25FL132K0XNFI010
S25FL132K0XNFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥3.11445

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,868.66820

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CY7C1513KV18-300BZXC
CY7C1513KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,242.37464

192

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,484.74927

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S25FL132K0XNFIQ10
S25FL132K0XNFIQ10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥15.49981

7872

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,813.47730

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CY7C1514KV18-250BZC
CY7C1514KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥865.88870

65

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,597.66609

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CY7C11681KV18-400BZXC
CY7C11681KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

65

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,336.84926

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CY7C1512KV18-333BZC
CY7C1512KV18-333BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥993.87074

24

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,981.61221

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CY7C12501KV18-400BZC
CY7C12501KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥386.26386

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,317.58314

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CY7C1512KV18-350BZC
CY7C1512KV18-350BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,200.43825

296

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,400.87649

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CY7C1513KV18-333BZC
CY7C1513KV18-333BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,047.68549

1281

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,143.05646

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CY62157H30-45BVXI
CY62157H30-45BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥196.32605

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥196.32605

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CY7C1460KV25-250BZC
CY7C1460KV25-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥40.31398

0

5-7 工作日

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合计: ¥40.31398

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S25FL132K0XNFIQ11
S25FL132K0XNFIQ11
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥570.59566

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥570.59566

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CY7C1514KV18-300BZC
CY7C1514KV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥47.64380

0

5-7 工作日

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合计: ¥47.64380

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S25FL132K0XNFIQ13
S25FL132K0XNFIQ13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥42.16816

0

5-7 工作日

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合计: ¥42.16816

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