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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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S29WS128P0PBFW000
S29WS128P0PBFW000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥41.05276

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CY7C1625KV18-300BZXC
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (16M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,916.76106

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S29WS128P0SBFW000
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥18.93294

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CY7C1643KV18-450BZI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

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S29WS256P0PBFW000
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

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CY7C1650KV18-400BZC
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥2,032.64746

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S29WS256P0SBFW000
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

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CY7C1663KV18-450BZXC
CY7C1663KV18-450BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

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S29WS512P0PBFW000
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

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CY7C2262XV18-366BZXC
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 366 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

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S29WS512P0SBFW000
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

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CY7C2264XV18-366BZXC
CY7C2264XV18-366BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 366 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1313KV18-250BZXC
CY7C1313KV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

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CY7C2644KV18-300BZI
CY7C2644KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥3,476.51957

116

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CY7C1444AV33-250AXI
CY7C1444AV33-250AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥429.14183

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CY7C1462BV25-250BZXC
CY7C1462BV25-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥383.36670

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合计: ¥2,300.20018

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CY7C1019CV33-10ZXAT
CY7C1019CV33-10ZXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥3.86771

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CY7C1019CV33-10ZXA
CY7C1019CV33-10ZXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥28.97160

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合计: ¥1,825.21080

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CY14MB064Q1B-SXI
CY14MB064Q1B-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥24.11886

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合计: ¥2,194.81599

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CY14ME064Q2B-SXI
CY14ME064Q2B-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥29.98561

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