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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C109B-20VC
CY7C109B-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥55.35024

0

5-7 工作日

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合计: ¥55.35024

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CY7C1380DV33-200AXI
CY7C1380DV33-200AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥201.56991

392

5-7 工作日

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合计: ¥2,217.26898

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CY7C1474BV25-167BGCT
CY7C1474BV25-167BGCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥30.31878

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.31878

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CY7C136E-25NXC
CY7C136E-25NXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥268.20459

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,413.84128

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CY7C109B-20ZC
CY7C109B-20ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥111.46823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥111.46823

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CY7C1387D-167BZI
CY7C1387D-167BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥141.59870

1278

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,265.57912

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CY7C1474BV25-167BGI
CY7C1474BV25-167BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥927.01877

204

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,781.05631

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CY7C144E-55JXCT
CY7C144E-55JXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.23x24.23)

¥18.87500

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.87500

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CY7C128A-15PC
CY7C128A-15PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥104.37019

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥104.37019

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CY7C1414KV18-333BZXC
CY7C1414KV18-333BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥360.91371

1917

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,526.39595

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CY7C131E-55JXCT
CY7C131E-55JXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥40.31398

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.31398

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CY7C1440AV25-250BZXI
CY7C1440AV25-250BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥655.77217

403

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,623.08866

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CY7C1446AV25-250BGI
CY7C1446AV25-250BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (512K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥685.17834

178

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71336

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S25FL116K0XMFI010
S25FL116K0XMFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥19.94695

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.94695

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CY7C1447AV25-133BGI
CY7C1447AV25-133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (512K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥685.17834

210

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71336

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S25FL116K0XNFI010
S25FL116K0XNFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥440.36832

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CY7C1462AV33-200AXI
CY7C1462AV33-200AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥362.65200

327

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.91202

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S25FL132K0XBHI020
S25FL132K0XBHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥51.12039

3463

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.12039

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CY7C1474BV25-167BGIT
CY7C1474BV25-167BGIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥19.81657

0

5-7 工作日

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合计: ¥19.81657

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CY7C1443KV33-133AXI
CY7C1443KV33-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥823.51773

0

5-7 工作日

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合计: ¥823.51773

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