1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥46.20970 | 2784 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,218.06570 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥90.60868 | 70 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥45.41298 | 255 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥147.58133 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥147.58133 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥56.27733 | 1243 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.81599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥45.41298 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.41298 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥55.84276 | 77 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.86760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥46.93399 | 1384 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.89762 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥46.93399 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,112.02964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥45.41298 | 1854 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥45.84756 | 2196 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.68274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥45.84756 | 222 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.68274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥90.60868 | 3225 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥50.70030 | 3355 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥46.93399 | 1474 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.89762 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥45.41298 | 2627 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥207.58151 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,283.39665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥111.32337 | 91 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,226.46746 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥102.99404 | 93 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,265.86884 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥19.62826 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.62826 | 添加到BOM 立即询价 |