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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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S29GL032N11FFIV10
S29GL032N11FFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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S29GL032N90FFIS22
S29GL032N90FFIS22
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥13.76151

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5962F1120102QXA
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-CCGA (21x25)

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CY7C1041D-2XWI
CY7C1041D-2XWI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

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CY14E256Q2A-SXIT
CY14E256Q2A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

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S25FL164K0XBHVS33
S25FL164K0XBHVS33
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥68.96689

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S29GL032N90FFIS23
S29GL032N90FFIS23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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CY7C1568KV18-550BZXC
CY7C1568KV18-550BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,300.85204

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CY7C1062DV33-2XW11
CY7C1062DV33-2XW11
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 3V~3.6V

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S29GL032N11FFIV20
S29GL032N11FFIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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CY14E512Q1A-SXIT
CY14E512Q1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

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S25FL164K0XBHVS20
S25FL164K0XBHVS20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

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S25FL064P0XNFI003
S25FL064P0XNFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

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CY7C1069AV33-1XW14
CY7C1069AV33-1XW14
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP II

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CY7C1911KV18-250BZC
CY7C1911KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

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199

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S25FL164K0XBHVS23
S25FL164K0XBHVS23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

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CY14MB064J1A-SXIT
CY14MB064J1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥22.72822

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CG8368AA
CG8368AA
IC FRAM MEMORY SERIAL 8SOIC

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5962F1120201QXA
5962F1120201QXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-CCGA (21x25)

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CY7C1444AV33-1XWI
CY7C1444AV33-1XWI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

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