久芯网

品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
CY7C25632KV18-450BZC
CY7C25632KV18-450BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,163.81638

7

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,327.63275

添加到BOM
立即询价
CY14MB064J2A-SXIT
CY14MB064J2A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥66.92440

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥66.92440

添加到BOM
立即询价
CG8368AAT
CG8368AAT
IC FRAM MEMORY SERIAL

¥492.47374

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥492.47374

添加到BOM
立即询价
CY7C25632KV18-550BZC
CY7C25632KV18-550BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,971.03758

256

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,971.03758

添加到BOM
立即询价
FM25040B-GA1
FM25040B-GA1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 14兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥30.65195

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.65195

添加到BOM
立即询价
CY14MB064Q1B-SXIT
CY14MB064Q1B-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥8.50317

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.50316

添加到BOM
立即询价
FM25L04B-GA4
FM25L04B-GA4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 8-SOIC

¥114.46679

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥114.46679

添加到BOM
立即询价
CY14MB064Q2B-SXIT
CY14MB064Q2B-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥43.48637

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.48637

添加到BOM
立即询价
CY7C25652KV18-450BZC
CY7C25652KV18-450BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,689.18914

716

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,378.37828

添加到BOM
立即询价
S72XS256RE0AHBH10
S72XS256RE0AHBH10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 256Mb Flash, 256Mb DDR DRAM 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 133-FBGA (8x8)

¥50.52647

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.52647

添加到BOM
立即询价
FM25L04B-GA4TR
FM25L04B-GA4TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.74031

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.74031

添加到BOM
立即询价
CY14ME064J1A-SXIT
CY14ME064J1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥152.57893

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥152.57893

添加到BOM
立即询价
CY7C25652KV18-550BZC
CY7C25652KV18-550BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥5,061.41095

771

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,061.41095

添加到BOM
立即询价
CG8283AA
CG8283AA
IC SRAM ASYNC 85SOIJ

¥85.53865

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,881.85028

添加到BOM
立即询价
S29WS512R0SBHW000
S29WS512R0SBHW000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥38.67709

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.67709

添加到BOM
立即询价
CY14ME064J1-SXIT
CY14ME064J1-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.43611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.43611

添加到BOM
立即询价
CY7C25682KV18-400BZC
CY7C25682KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,398.45913

127

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,796.91826

添加到BOM
立即询价
S29WS512R0SBHW200
S29WS512R0SBHW200
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥65.80899

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥65.80899

添加到BOM
立即询价
CY14ME064J2A-SXIT
CY14ME064J2A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥50.88862

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.88862

添加到BOM
立即询价
CY7C25682KV18-450BZC
CY7C25682KV18-450BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,596.19030

302

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,192.38060

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部