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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S25FL132K0XNFI041
S25FL132K0XNFI041
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥84.27838

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5-7 工作日

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合计: ¥84.27838

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S29GL032N90FFI033
S29GL032N90FFI033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥44.63075

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5-7 工作日

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合计: ¥44.63075

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S29CL032J0RQAI030
S29CL032J0RQAI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 80-PQFP (14x20)

¥8.24242

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5-7 工作日

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合计: ¥8.24242

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CG8263AA
CG8263AA
IC SRAM SYNC 100TQFP

¥7.12701

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5-7 工作日

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合计: ¥7.12701

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CY7C1426KV18-250BZC
CY7C1426KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥14.99280

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合计: ¥14.99280

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S25FL132K0XNFN011
S25FL132K0XNFN011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥74.65981

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5-7 工作日

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合计: ¥74.65981

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S29GL032N11DFIV20
S29GL032N11DFIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥27.26228

0

5-7 工作日

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合计: ¥27.26228

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S29GL032N90FFI042
S29GL032N90FFI042
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥29.62346

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5-7 工作日

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合计: ¥29.62346

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S99GL128S0110
S99GL128S0110
IC FLASH NOR 128MBIT

¥46.83259

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合计: ¥46.83259

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S25FS064SDSMFV010
S25FS064SDSMFV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥12.60265

311

5-7 工作日

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合计: ¥12.60265

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S29GL032N11FFIS10
S29GL032N11FFIS10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥6.73590

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合计: ¥6.73590

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S29GL032N90FFIS12
S29GL032N90FFIS12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥36.06964

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合计: ¥36.06964

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5962F1123501QXA
5962F1123501QXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 36-Ceramic FlatPack

¥39.60418

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合计: ¥39.60418

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S25FS064SAGMFN010
S25FS064SAGMFN010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥19.84555

219

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合计: ¥19.84555

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S29GL032N11FFIS20
S29GL032N11FFIS20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥208.08852

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合计: ¥208.08852

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S29GL032N90FFIS13
S29GL032N90FFIS13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥57.69694

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合计: ¥57.69694

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5962F1120101QXA
5962F1120101QXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-CCGA (21x25)

¥35.59161

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合计: ¥35.59161

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S25FL164K0XBHVS30
S25FL164K0XBHVS30
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥22.72822

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合计: ¥22.72822

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CY14E256Q1A-SXIT
CY14E256Q1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥115.84294

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合计: ¥115.84294

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CY7C1426KV18-300BZXC
CY7C1426KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥388.43673

125

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