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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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S29GL032N90BAI030
S29GL032N90BAI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥30.39332

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CY14B512Q1A-SXIT
CY14B512Q1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥64.96881

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CY7C028V-25AC
CY7C028V-25AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥270.44989

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S29GL032N90BAI040
S29GL032N90BAI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥95.83805

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CY7C038V-20AI
CY7C038V-20AI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(64K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥148.18973

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S29GL032N90BFVR40
S29GL032N90BFVR40
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥54.93015

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CY14B512Q1A-SXI
CY14B512Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥45.84756

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S29GL032N90DAI010
S29GL032N90DAI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥111.80140

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S29GL032N90DAI020
S29GL032N90DAI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥17.25259

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S29GL032N90TFVR23
S29GL032N90TFVR23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥5.15695

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S29GL032N90DFBR20
S29GL032N90DFBR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥12.84891

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CY7C09289V-9AC
CY7C09289V-9AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 67 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥444.64163

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S29GL064N11FFIS22
S29GL064N11FFIS22
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥912.86614

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CY14B101J1-SXI
CY14B101J1-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥52.22131

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S29GL032N90DFI010
S29GL032N90DFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥22.81514

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CY7C09289V-9AI
CY7C09289V-9AI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 67 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥483.31872

296

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CY14B512J2-SXI
CY14B512J2-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥50.55544

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CY7C09579V-83AC
CY7C09579V-83AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(32K x 36) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥616.44322

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合计: ¥2,465.77288

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S29GL064N11FFIV12
S29GL064N11FFIV12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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CY7C1411KV18-250BZC
CY7C1411KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥299.63877

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