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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C136-25JC
CY7C136-25JC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥60.84036

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,825.21080

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S29GL064N11FFIV22
S29GL064N11FFIV22
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥62.46277

0

5-7 工作日

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合计: ¥62.46277

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CY7C1415KV18-333BZI
CY7C1415KV18-333BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥360.91371

258

5-7 工作日

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合计: ¥2,526.39595

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S29GL032N90DFI030
S29GL032N90DFI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥504.52593

0

5-7 工作日

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合计: ¥504.52593

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S29GL064N11TFIV13
S29GL064N11TFIV13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥36.28693

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合计: ¥36.28693

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CY14E101Q1A-SXIT
CY14E101Q1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥24.22026

0

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合计: ¥24.22026

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CY14B512I-SFXI
CY14B512I-SFXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥21.14927

41

5-7 工作日

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合计: ¥21.14927

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S29GL064N11TFIV23
S29GL064N11TFIV23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥36.37384

0

5-7 工作日

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合计: ¥36.37384

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CY7C136-55JI
CY7C136-55JI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥53.59746

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.59746

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S29GL064N11TFIV63
S29GL064N11TFIV63
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥46.41250

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.41250

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CY7C136-55NC
CY7C136-55NC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥31.43419

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合计: ¥94.30256

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S29GL032N90FAI010
S29GL032N90FAI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥31.12998

0

5-7 工作日

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合计: ¥31.12998

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S29GL064N11TFIV73
S29GL064N11TFIV73
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥16.87596

0

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合计: ¥16.87596

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CY7C144-55JC
CY7C144-55JC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.23x24.23)

¥111.54066

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,230.81320

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S29GL064N90BFI032
S29GL064N90BFI032
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥14.15263

0

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合计: ¥14.15263

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CYATB108LD-ZS45XI
CYATB108LD-ZS45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥8,884.28600

39

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合计: ¥8,884.28600

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CY7C144AV-25AC
CY7C144AV-25AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥95.60628

0

5-7 工作日

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合计: ¥191.21256

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S29GL064N90BFI033
S29GL064N90BFI033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥26.95807

0

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合计: ¥26.95807

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FM1608B-SGTR
FM1608B-SGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥20.29461

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合计: ¥20.29461

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CY62148VNLL-70SXI
CY62148VNLL-70SXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥106.25334

204

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合计: ¥2,231.32020

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