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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY14ME064J2-SXIT
CY14ME064J2-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥17.16567

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.16567

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CY7C197BN-15VC
CY7C197BN-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (256K x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥18.91846

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.91846

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CY7C25682KV18-500BZC
CY7C25682KV18-500BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,130.28175

243

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,260.56350

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CY14ME064Q1A-SXIT
CY14ME064Q1A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥90.82597

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥90.82597

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CY7C148-35PC
CY7C148-35PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Kb (1K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 18-PDIP

¥81.55505

640

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.98646

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CY7C25702KV18-400BZC
CY7C25702KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,335.51833

181

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,671.03666

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CY14ME064Q1B-SXIT
CY14ME064Q1B-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥50.07741

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.07741

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CY7C149-45PC
CY7C149-45PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Kb (1K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 18-PDIP

¥81.55505

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥81.55505

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CY14ME064Q2A-SXIT
CY14ME064Q2A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥53.39466

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.39466

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CY7C25702KV18-450BZC
CY7C25702KV18-450BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,554.97820

258

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,109.95640

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S29GL032N90FFIS33
S29GL032N90FFIS33
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥39.53175

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.53175

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CY7C25702KV18-500BZC
CY7C25702KV18-500BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,130.28175

298

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,260.56350

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CY14ME064Q2B-SXIT
CY14ME064Q2B-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥42.09574

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.09574

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S29GL032N90FFIS42
S29GL032N90FFIS42
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥40.42987

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.42987

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CY7C25702KV18-500BZXC
CY7C25702KV18-500BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,547.11064

170

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,547.11064

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CY14B101J1-SXIT
CY14B101J1-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.93918

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.93918

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CY7C194BN-15VC
CY7C194BN-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥44.47141

3102

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.09889

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CY14B512I-SFXIT
CY14B512I-SFXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥36.44627

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.44627

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CY7C194BN-15PC
CY7C194BN-15PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥44.47141

504

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.09889

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CY14B512J2-SXIT
CY14B512J2-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥125.38909

0

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合计: ¥125.38909

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