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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
FM25V01-G
FM25V01-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.72294

0

5-7 工作日

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合计: ¥33.72294

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S29GL064N90TFI073
S29GL064N90TFI073
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥64.62115

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.62115

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FM25V20-G
FM25V20-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥89.81196

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥89.81196

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S29GL128P10FFI0102
S29GL128P10FFI0102
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥54.24932

0

5-7 工作日

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合计: ¥54.24932

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S29GL064N90TFVR23
S29GL064N90TFVR23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥11.03818

9000

5-7 工作日

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合计: ¥11.03818

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FM21LD16-60-BG
FM21LD16-60-BG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥199.90404

0

5-7 工作日

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合计: ¥799.61616

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S29GL128P10FAI012
S29GL128P10FAI012
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥42.57377

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.57377

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FM21L16-60-TGTR
FM21L16-60-TGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥52.49654

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥52.49654

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S29GL128P10FAI013
S29GL128P10FAI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥45.61578

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.61578

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FM21LD16-60-BGTR
FM21LD16-60-BGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥34.66452

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.66452

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CY7C1324S-133AXC
CY7C1324S-133AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥38.74952

1815

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,208.72236

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CY7C1320TV18-167BZC
CY7C1320TV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥266.97329

650

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,402.75965

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CY7C1320SV18-250BZC
CY7C1320SV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

883

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,336.84926

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CY7C1320SV18-167BZC
CY7C1320SV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥266.97329

190

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,402.75965

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CY7C1361S-133AXI
CY7C1361S-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥110.09208

290

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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CY7C1361S-133AXC
CY7C1361S-133AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥63.88238

279

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,235.88323

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FM24CL64B-GATR
FM24CL64B-GATR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥389.55213

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥389.55213

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FM24V01-GTR
FM24V01-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥591.78839

0

5-7 工作日

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合计: ¥591.78839

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S29GL128P10FFI0202
S29GL128P10FFI0202
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥35.34535

0

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合计: ¥35.34535

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S29GL128P10FFI023
S29GL128P10FFI023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥100.57491

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合计: ¥100.57491

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