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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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FM24V02-GTR
FM24V02-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.37816

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5-7 工作日

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合计: ¥27.37816

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S29GL128P10FFIS12
S29GL128P10FFIS12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥51.09142

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.09142

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FM25040B-GATR
FM25040B-GATR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 14兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.10005

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5-7 工作日

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合计: ¥33.10005

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S29GL128P10FFIS13
S29GL128P10FFIS13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥35.49021

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.49021

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FM25640B-GATR
FM25640B-GATR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥36.66356

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5-7 工作日

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合计: ¥36.66356

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CY7C1361S-100AXC
CY7C1361S-100AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥21.91702

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.91702

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FM25C160B-GATR
FM25C160B-GATR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 15兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥88.78347

0

5-7 工作日

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合计: ¥88.78347

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CY7C1360S-166AJXC
CY7C1360S-166AJXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥58.59506

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.59506

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FM25H20-DGTR
FM25H20-DGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥115.45183

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,847.22922

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CY7C1356SV25-200AXC
CY7C1356SV25-200AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥80.83076

1289

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.43063

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FM25H20-GTR
FM25H20-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥76.15185

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥76.15185

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CY7C1356S-166BGC
CY7C1356S-166BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥104.80476

1954

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.90002

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FM25L04B-GATR
FM25L04B-GATR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥150.39158

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥150.39158

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CY7C1356S-166AXI
CY7C1356S-166AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥104.80476

954

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.90002

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FM25V02-DGTR
FM25V02-DGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (4x4.5)

¥35.40330

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.40330

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CY7C1355S-133BGC
CY7C1355S-133BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥77.61492

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.61492

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FM25V02-GTR
FM25V02-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.34631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.34631

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CY7C1354S-166BGC
CY7C1354S-166BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥104.44262

459

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.29498

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FM25V20-DGTR
FM25V20-DGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥39.40138

0

5-7 工作日

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合计: ¥39.40138

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CY7C1354S-166AXC
CY7C1354S-166AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥65.83796

717

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- +

合计: ¥2,238.49067

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