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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
FM25V20-DG
FM25V20-DG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥134.58757

0

5-7 工作日

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合计: ¥134.58757

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CY7C1372S-167BGC
CY7C1372S-167BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥193.60272

2058

5-7 工作日

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合计: ¥2,323.23260

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S29GL128P11DGI017
S29GL128P11DGI017
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥41.83499

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.83499

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S29GL128P11FAIS43
S29GL128P11FAIS43
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥61.34736

0

5-7 工作日

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合计: ¥61.34736

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FM25V20-PG
FM25V20-PG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP

¥103.28375

3394

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,272.24259

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CY7C1372S-167AXI
CY7C1372S-167AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥50.32367

0

5-7 工作日

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合计: ¥50.32367

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S29GL128P11FAIS40
S29GL128P11FAIS40
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥46.51390

0

5-7 工作日

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合计: ¥46.51390

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S29GL128P11FFI013
S29GL128P11FFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥223.05235

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥223.05235

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CY7C1372S-167AXC
CY7C1372S-167AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥183.67994

403

5-7 工作日

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合计: ¥2,204.15933

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S29GL128P11FFI0102
S29GL128P11FFI0102
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥127.60541

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥127.60541

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S29GL128P11FFIS13
S29GL128P11FFIS13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥21.35207

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.35207

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CY7C1370SV25-200BZC
CY7C1370SV25-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥232.71438

458

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,327.14377

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S29GL128P11FFI0202
S29GL128P11FFI0202
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥35.49021

0

5-7 工作日

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合计: ¥35.49021

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S29GL128P11FFIS33
S29GL128P11FFIS33
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥33.33183

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.33183

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CY7C1370SV25-200AXC
CY7C1370SV25-200AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥183.67994

365

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.15933

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S29GL128P11FFIS10
S29GL128P11FFIS10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥57.65348

0

5-7 工作日

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合计: ¥57.65348

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S25FL164K0XMFA003
S25FL164K0XMFA003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥106.60100

0

5-7 工作日

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合计: ¥106.60100

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CY7C1370SV25-167BZC
CY7C1370SV25-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥267.62516

1200

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- +

合计: ¥2,408.62640

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S29GL128P11FFIS40
S29GL128P11FFIS40
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥12.57367

0

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合计: ¥12.57367

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CY7C1370SV25-167AXC
CY7C1370SV25-167AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥184.25938

482

5-7 工作日

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合计: ¥2,211.11251

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