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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1024AV33-12BGC
CY7C1024AV33-12BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥51.20730

5604

5-7 工作日

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合计: ¥2,201.91403

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CY62138CV33LL-70BAI
CY62138CV33LL-70BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-FBGA (7x7)

¥7.82233

344

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,690.88221

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CY62148DV30L-55SXIT
CY62148DV30L-55SXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥17.38296

2875

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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CY7C1357A-100ACT
CY7C1357A-100ACT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥51.20730

1500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.91403

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S34ML02G200BHV000
S34ML02G200BHV000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥20.78712

1047

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,829.26682

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CY27H010-70WC
CY27H010-70WC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP

¥17.38296

1147

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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S34MS02G204TFI010
S34MS02G204TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥20.78712

398

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,829.26682

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CY7C1021CV33-12BAI
CY7C1021CV33-12BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥17.38296

2425

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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FM25640B-GTR
FM25640B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥13.75687

3569

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合计: ¥13.75687

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S34ML08G101TFI200
S34ML08G101TFI200
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥80.36794

2677

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,768.09475

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CY7C1018CV33-10VC
CY7C1018CV33-10VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥17.45539

872

5-7 工作日

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合计: ¥2,181.92363

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S34ML16G202BHI003
S34ML16G202BHI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥83.07606

0

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- +

合计: ¥1,827.67339

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CY62157DV30LL-45ZSXI
CY62157DV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥51.56945

1027

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,217.48626

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FM25V01-GTR
FM25V01-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥21.29413

3626

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,831.29484

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S25FL164K0XMFIQ13
S25FL164K0XMFIQ13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥86.04565

3417

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,457.91517

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CY7C168A-15PC
CY7C168A-15PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (4K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 20-DIP

¥17.60025

608

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.43063

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CY27C512-45ZC
CY27C512-45ZC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥27.01602

97

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,620.55365

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S34ML02G100TFV003
S34ML02G100TFV003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥21.72870

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,825.21080

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CY7C1021BV33L-15ZXI
CY7C1021BV33L-15ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.59545

89

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,455.99496

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S34ML04G200BHV000
S34ML04G200BHV000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥21.72870

6506

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,825.21080

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