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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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FM25L16B-GTR
FM25L16B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥10.95996

9710

2-3 工作日

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合计: ¥10.95996

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CY7C1019CV33-10ZXCT
CY7C1019CV33-10ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥7.38776

390

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,881.22562

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FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7V ~ 3.65V 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥15.70913

34350

2-3 工作日

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合计: ¥15.70913

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CY7C1049DV33-10ZSXI
CY7C1049DV33-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥55.55304

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,833.25042

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CY62256LL-55ZXET
CY62256LL-55ZXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥17.09324

28679

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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CY62256VNLL-70SNXIT
CY62256VNLL-70SNXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥16.22410

586

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,817.09875

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FM24CL16B-GTR
FM24CL16B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.7V ~ 3.65V 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.84115

64

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.84115

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S26KL512SDABHA020
S26KL512SDABHA020
PARALLEL NOR HYPERFLASH, 512MB (

¥75.10887

700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.15732

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CY62256NLL-55ZXAKJ
CY62256NLL-55ZXAKJ
ASYNC RAM

¥17.16567

2226

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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CY27H512-70JC
CY27H512-70JC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥17.16567

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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S34ML04G100TFA000
S34ML04G100TFA000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥77.28174

288

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,854.76183

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CY7C1041CV33-20VC
CY7C1041CV33-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥17.16567

297

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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CY7C1360A1-150AJC
CY7C1360A1-150AJC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥51.13487

1105

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.79958

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S71VS256RD0AHK3L0
S71VS256RD0AHK3L0
S71VS256RD0AHK3L0

¥72.64629

93

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- +

合计: ¥217.93886

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CY27C512-90ZC
CY27C512-90ZC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥17.16567

217

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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CY7C1340A-66AI
CY7C1340A-66AI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.1伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥51.13487

473

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.79958

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CY62137CVLL-70BAI
CY62137CVLL-70BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥7.82233

825

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.60830

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S34MS02G200TFI003
S34MS02G200TFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥20.42498

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,817.82304

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S29GL512P12FFIV12
S29GL512P12FFIV12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥77.28174

38

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,854.76183

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CY62148DV30LL-55ZSXI
CY62148DV30LL-55ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥17.16567

169

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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