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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CYD18S36V-100BBC
CYD18S36V-100BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA (23x23)

¥1,506.45077

62

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,012.90154

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S25FL128P0XMFI011
S25FL128P0XMFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥22.09085

22832

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.09085

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CY14B101NA-ZS45XIKA
CY14B101NA-ZS45XIKA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥180.49307

368

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,346.40988

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S25FL128P0XMFI013
S25FL128P0XMFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥25.63987

1200

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,820.43049

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CY7C1620KV18-250BZC
CY7C1620KV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,543.46199

108

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,086.92398

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CY62127DV30LL-55BVXI
CY62127DV30LL-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥5.50460

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.50460

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CY7B139-35JC
CY7B139-35JC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Kb (4K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.23x24.23)

¥181.07250

126

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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CY7C09199V-7AC
CY7C09199V-7AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(128K x 9) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥182.52108

291

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C025-15ACT
CY7C025-15ACT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥183.46266

1007

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.55188

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CY7C1615KV18-300BZXC
CY7C1615KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,666.73615

108

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,333.47230

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S25FL132K0XBHVS20
S25FL132K0XBHVS20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥5.14246

4120

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.14246

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CY7C0833V-100BBIMG
CY7C0833V-100BBIMG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA(13x13)

¥1,709.25197

245

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,418.50394

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S34ML04G100BHI000
S34ML04G100BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥27.08845

203266

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,814.92588

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CYD18S36V-100BBI
CYD18S36V-100BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA (23x23)

¥1,738.15114

48

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,476.30228

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S34ML02G104BHA010
S34ML02G104BHA010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥27.08845

1090

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,814.92588

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S34ML02G100BHI000
S34ML02G100BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥27.81274

6106

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.81274

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CY7C025-35AIT
CY7C025-35AIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥186.35982

4078

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,236.31780

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CY7C09269V-7AXCKJ
CY7C09269V-7AXCKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥188.31540

252

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.78480

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S25FL129P0XMFI000
S25FL129P0XMFI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥28.97160

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,825.21080

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CY7C265-18JC
CY7C265-18JC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥189.32941

207

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,271.95287

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