品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta), 200A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.34765 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,021.47500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN | ¥3.25931 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 25A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.76693 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,834.66500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN | ¥2.89716 | 383166 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、71A（Tc） 最大功耗: 61W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.11046 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,552.31500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.14006 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.14006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.77077 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,853.85500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.46019 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.46019 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.22650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Ta）、142A（Tc） 最大功耗: 3.2W（Ta）、85W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.06616 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,099.24600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.22650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta）、74A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.61370 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,420.55000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta), 240A (Tc) 最大功耗: 4.3W (Ta), 136.4W (Tc) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.87356 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.87356 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.08644 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥640.99665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、100A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.07884 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,394.19500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A（Ta） 最大功耗: 820mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 | 19423 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.70245 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,756.13250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.77968 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,898.40000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、87A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 55W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.11807 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,590.34000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、110A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.76631 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.39341 | 添加到BOM 立即询价 |