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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
NVD5803NT4G
NVD5803NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.10821

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.10821

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NTNS3C94NZT5G
NTNS3C94NZT5G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 384毫安 (Ta) 最大功耗: 120mW(Ta) 供应商设备包装: 3-XLLGA(0.62-0.62) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.46892

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.46892

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NTMFS4C05NT3G
NTMFS4C05NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.9A(Ta) 最大功耗: 770mW (Ta) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥53.01803

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.01803

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FDFM2P110
FDFM2P110
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥64.01275

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.01275

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FDD4243-F085
FDD4243-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Ta), 14A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥96.62029

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥96.62029

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FDPF18N50T-G
FDPF18N50T-G
IC

¥67.01131

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.01131

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3LN01C-TB-E
3LN01C-TB-E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 250mW(Ta) 供应商设备包装: SC-59-3/CP3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.57943

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,738.29600

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SPP1421DMR2G
SPP1421DMR2G
MOSFET N-CH SMD

¥6.95318

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.95318

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FDT3612-SB82273
FDT3612-SB82273
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥129.34371

9000

5-7 工作日

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合计: ¥129.34371

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