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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FDD6688
FDD6688
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Ta) 最大功耗: 83W (Ta) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥62.46277

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.46277

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NVD5805NT4G
NVD5805NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.05602

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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FDMS86568-F085
FDMS86568-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W(Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.80017

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.80017

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FDMS8558S
FDMS8558S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥34.59209

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.59209

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NVMFS5834NLWFT3G
NVMFS5834NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、75A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.11157

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.11157

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NVTFS5811NLWFTAG
NVTFS5811NLWFTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta)、21W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥59.82635

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.82635

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FDD4243-F085P
FDD4243-F085P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.25460

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.25460

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FDMS9410L-F085
FDMS9410L-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥166.47081

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥166.47081

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FDMS2D4N03S
FDMS2D4N03S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.60601

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.60601

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NVTFS5824NLTAG
NVTFS5824NLTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),57W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.65819

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.65819

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6HP04MH-TL-W
6HP04MH-TL-W
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 370毫安 (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.65186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,024.07363

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5LP01SP
5LP01SP
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70毫安 (Ta) 最大功耗: 250mW(Ta) 供应商设备包装: 3-SPA 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.57943

15500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FQB25N33TM-F085
FQB25N33TM-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 330伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥64.95433

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.95433

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NVTFS5824NLWFTAG
NVTFS5824NLWFTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),57W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.18688

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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STD3055L104T4G
STD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3

¥169.87498

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥169.87498

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NVD6416ANLT4G-001
NVD6416ANLT4G-001
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: DPAK-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度

¥39.48829

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.48829

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NVD4806NT4G
NVD4806NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Ta)、79A(Tc) 最大功耗: 1.4W(Ta)、68W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.53502

39424

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,152.22774

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NVGS3443T1G
NVGS3443T1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥65.59170

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥65.59170

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FDC021N30
FDC021N30
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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STD110N02RT4G
STD110N02RT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、110W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.40416

2494

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.47265

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