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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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FGAF40S65AQ
FGAF40S65AQ
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: TO-3PF-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥40.04100

0

2-3 工作日

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合计: ¥40.04100

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HGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.07905

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.07905

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FGL12040WD
FGL12040WD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 391 W 供应商设备包装: TO-264-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.66932

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.66932

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FGPF70N30
FGPF70N30
集电极击穿电压: 300伏 最大功率: 52 W 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥90.27551

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥90.27551

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HGTP7N60A4-F102
HGTP7N60A4-F102
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 34 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.22650

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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FGH40N60SFTU
FGH40N60SFTU
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.36802

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.36802

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NGTB30N60L2WG
NGTB30N60L2WG
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 225瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥33.17248

75

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.17248

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FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2
IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 156瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.20485

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.20485

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NGTB15N120IHTG
NGTB15N120IHTG
IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247

¥246.49037

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥246.49037

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FGA50N100BNTTU
FGA50N100BNTTU
IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 156瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.66740

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.66740

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NGTB30N65IHL2WG
NGTB30N65IHL2WG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.49663

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,757.17966

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FGA20N120FTDTU
FGA20N120FTDTU
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.48932

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥16.48932

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FGA40N65SMD
FGA40N65SMD
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 349 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.67219

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.67219

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NGTB50N60FL2WG
NGTB50N60FL2WG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 417 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥49.71527

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.71527

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ISL9V2540S3ST
ISL9V2540S3ST
集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 15.5 A 最大功率: 166.7 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.49915

3200

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,999.31600

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NGTB50N60SWG
NGTB50N60SWG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.32117

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,762.68668

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FGA30N60LSDTU
FGA30N60LSDTU
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.87657

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥17.87657

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NGTG15N120FL2WG
NGTG15N120FL2WG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 294 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.60243

0

2-3 工作日

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合计: ¥1,728.76207

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ISL9V5045S3S
ISL9V5045S3S
集电极击穿电压: 480伏 最大集电极电流 (Ic): 51 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.28156

9000

5-7 工作日

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合计: ¥17.28156

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NGTD14T65F2SWK
NGTD14T65F2SWK
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.47080

0

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合计: ¥4,165.33559

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