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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
NGTB10N60FG
NGTB10N60FG
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-220F-3FS 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥13.81992

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.81992

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FGI3040G2-F085
FGI3040G2-F085
集电极击穿电压: 400伏 最大集电极电流 (Ic): 41 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.27090

1200

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,708.36120

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NGTD17T65F2SWK
NGTD17T65F2SWK
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.48541

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,205.09282

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FGA30N120FTDTU
FGA30N120FTDTU
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 339 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,489.38650

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,489.38650

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FGB20N60SFD
FGB20N60SFD
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.84523

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥30.84523

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NGTD17T65F2WP
NGTD17T65F2WP
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.60102

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,224.16748

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FGH40T120SMDL4
FGH40T120SMDL4
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.29205

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.29205

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FGH60N60SFTU
FGH60N60SFTU
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.97846

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥19.97846

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FGA30N65SMD
FGA30N65SMD
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥139.43928

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥139.43928

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FGA6065ADF
FGA6065ADF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 306瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.62874

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.62874

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FGH75T65SQDTL4
FGH75T65SQDTL4
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥42.62632

18

2-3 工作日

- +

合计: ¥42.62632

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FGH30T65UPDT-F155
FGH30T65UPDT-F155
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.14020

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥24.14020

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FGP20N60UFDTU
FGP20N60UFDTU
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 165瓦 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.77308

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥13,418.46320

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FGH60N60UFDTU-F085
FGH60N60UFDTU-F085
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥66.09392

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥66.09392

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FGAF20S65AQ
FGAF20S65AQ
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-3PF-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.16584

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,224.87615

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FGA6530WDF
FGA6530WDF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.88887

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥29.88887

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HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 164 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.81799

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥47.81799

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FGH60N60SMD-F085
FGH60N60SMD-F085
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥68.19581

1

2-3 工作日

- +

合计: ¥68.19581

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NGTB30N120FL2WG
NGTB30N120FL2WG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 452 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.90258

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,757.86279

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NGTB30N120IHRWG
NGTB30N120IHRWG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 384瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.23810

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.00071

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